[發(fā)明專利]一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011613882.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112624034A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇航;李永智;呂軍;賴芳奇;金科 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州科陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215143 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mems 器件 晶圓級(jí) 封裝 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括：
在蓋板基板(101)的第一端沿第一預(yù)設(shè)位置的外周開設(shè)開槽(1012)；
在所述蓋板基板(101)的所述第一端安裝載板(105)，所述第一預(yù)設(shè)位置的所述蓋板基板(101)連接在所述載板(105)上；
去除所述蓋板基板(101)的與所述第一端相對(duì)的第二端的材料，使所述開槽(1012)為通槽(1011)；
在所述蓋板基板(101)的所述第二端的第二預(yù)設(shè)位置設(shè)置第一膠層(201)；
MEMS晶圓(301)包括器件結(jié)構(gòu)和設(shè)置在所述器件結(jié)構(gòu)四周的金屬墊(302)，所述第一預(yù)設(shè)位置對(duì)應(yīng)的所述蓋板基板(101)和所述第一膠層(201)封裝所述器件結(jié)構(gòu)，所述金屬墊(302)與所述通槽(1011)相對(duì)設(shè)置；
去除所述載板(105)，形成MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，去除所述載板(105)之后還包括，在所述金屬墊(302)上焊錫。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，
在所述蓋板基板(101)的所述第一端沿所述第一預(yù)設(shè)位置開設(shè)所述開槽(1012)之前還包括，在所述蓋板基板(101)上設(shè)置第二膠層(102)，并在所述第一預(yù)設(shè)位置去除所述第二膠層(102)；
在所述蓋板基板(101)的所述第一端沿所述第一預(yù)設(shè)位置開設(shè)所述開槽(1012)之后還包括，去除剩余的所述第二膠層(102)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，
在所述蓋板基板(101)的所述第一端安裝所述載板(105)之前還包括，在所述蓋板基板(101)的所述第一端設(shè)置第三膠層，所述蓋板基板(101)與所述載板(105)通過(guò)所述第三膠層粘接；
去除所述載板(105)之后還包括，去除所述第三膠層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法還包括：
在所述蓋板基板(101)的第二端壓接干膜，去除所述第二預(yù)設(shè)位置以外的所述干膜，以在所述第二預(yù)設(shè)位置形成所述第一膠層(201)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述蓋板基板(101)與所述MEMS晶圓(301)通過(guò)紅外線進(jìn)行對(duì)位，以使所述第一預(yù)設(shè)位置對(duì)應(yīng)的所述蓋板基板(101)和所述器件結(jié)構(gòu)、以及所述通槽(1011)與所述金屬墊(302)分別相對(duì)設(shè)置。
7.一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法制成，包括：
MEMS晶圓(301)，包括器件結(jié)構(gòu)和設(shè)置在所述器件結(jié)構(gòu)四周的金屬墊(302)；
蓋板基板(101)，包括至少兩個(gè)分板，各個(gè)所述分板分別與所述器件結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述金屬墊(302)設(shè)置在各個(gè)所述分板四周，所述蓋板基板(101)連接在所述MEMS晶圓(301)上；
干膜，連接在所述蓋板基板(101)和所述MEMS晶圓(301)之間，所述蓋板基板(101)和所述干膜封裝所述器件結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬墊(302)上焊接錫球(304)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬墊(302)和所述錫球(304)之間設(shè)置有保護(hù)層(303)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述錫球(304)的高度不小于100um。
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