[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011611419.2
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112736092A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔吉祥
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

一種陣列基板，包括襯底、設(shè)置于襯底上的低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管包括第一有源層，第一有源層上依次層疊覆蓋有柵極絕緣層和層間絕緣層，柵極絕緣層包括氧硅化物層，氧化物薄膜晶體管包括第二有源層，層間絕緣層上設(shè)置有凹槽，凹槽與低溫多晶硅薄膜晶體管不具有交疊面，凹槽貫穿層間絕緣層，且凹槽的深度延伸至氧硅化物層的表面，第二有源層位于凹槽內(nèi)的氧硅化物層表面。將LTPO顯示面板中的氧化物薄膜晶體管的第二有源層下方的含有高氫含量的第一層間絕緣層去除，使得第二有源層與下方的低氫含量的第一柵極絕緣層接觸，從而降低第二有源層周圍的氫含量，提高氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

目前在顯示面板領(lǐng)域，為了實現(xiàn)高響應(yīng)速度、高對比度、高亮度的屏幕顯示，有機發(fā)光二極管技術(shù)在顯示領(lǐng)域得到了大幅的發(fā)展。但是隨著可穿戴設(shè)備以及可穿戴顯示領(lǐng)域的發(fā)展，以及在目前電池領(lǐng)域技術(shù)未得到顯著突破的背景下，人們對顯示設(shè)備的功耗要求越來越高。目前用于驅(qū)動薄膜晶體管和開關(guān)薄膜晶體管的低溫多晶硅技術(shù)是一種主流技術(shù)趨勢，低溫多晶硅薄膜晶體管的功耗較低。但是由于低溫多晶硅的載流子遷移率較大，存在漏電流較高的問題。因此LTPO(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide，低溫多晶氧化物)技術(shù)應(yīng)運而生。它結(jié)合了低溫多晶硅和氧化物兩者的優(yōu)異點，形成了一種響應(yīng)速度快，功耗更低的LTPO解決方案。

LTPO同時采用了兩種有源層，在形成低溫多晶硅有源層上的層間絕緣層時，需要在層間絕緣層引入氮硅化物(SiNx)，在活化和補氫制程時以提供氫。但是氧化物有源層對于氫含量較為敏感，氫含量過高會導(dǎo)致氧化物有源層呈現(xiàn)導(dǎo)體化效應(yīng)，降低氧化物薄膜晶體管的開關(guān)性能。

因此，現(xiàn)有的LTPO顯示面板的結(jié)構(gòu)有待改進。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決現(xiàn)有的LTPO顯示面板，由于同時采用了兩種有源層，在形成低溫多晶硅有源層上的層間絕緣層時，需要進行補氫制程，而氧化物有源層對氫含量較為敏感，氫含量過高會導(dǎo)致氧化物有源層呈現(xiàn)導(dǎo)體化效應(yīng)，進而影響氧化物薄膜晶體管特性的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括襯底、設(shè)置于所述襯底上的低溫多晶硅薄膜晶體管，以及氧化物薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第一有源層，所述第一有源層上依次層疊覆蓋有柵極絕緣層和層間絕緣層，所述柵極絕緣層包括氧硅化物層，所述氧化物薄膜晶體管包括第二有源層；其中，所述層間絕緣層上設(shè)置有凹槽，所述凹槽在所述襯底上的正投影與所述低溫多晶硅薄膜晶體管在所述襯底上的正投影錯開，所述凹槽貫穿所述層間絕緣層，且所述凹槽的深度延伸至所述氧硅化物層的表面，所述第二有源層位于所述凹槽內(nèi)的所述氧硅化物層表面。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括設(shè)置于所述第一有源層上的第一柵極，所述第一柵極與所述第一有源層之間設(shè)置有第一柵極絕緣層，所述第一柵極上覆蓋有第一層間絕緣層，所述凹槽貫穿所述第一層間絕緣層，且所述凹槽的深度延伸至所述第一柵極絕緣層的表面。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括設(shè)置于所述第一有源層上的第一柵極和金屬層，所述第一柵極與所述第一有源層之間設(shè)置有第一柵極絕緣層，所述金屬層與所述第一柵極之間設(shè)置有第二柵極絕緣層，所述金屬層上覆蓋有第一層間絕緣層，所述凹槽依次貫穿所述第一層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層且所述凹槽的深度延伸至所述第一柵極絕緣層的表面。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括設(shè)置于所述第一層間絕緣層上的第一連接層，所述第一層間絕緣層還包括第一過孔，所述第一連接層通過所述第一過孔與所述第一有源層連接，所述第一連接層與所述第二有源層的材料相同。