[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202011611419.2
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112736092A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 龔吉祥
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

低溫多晶硅薄膜晶體管，設置于所述襯底上，包括第一有源層，所述第一有源層上依次層疊覆蓋有柵極絕緣層和層間絕緣層，所述柵極絕緣層包括氧硅化物層，其中，所述層間絕緣層上設置有凹槽，所述凹槽在所述襯底上的正投影與所述低溫多晶硅薄膜晶體管在所述襯底上的正投影錯開；以及，

氧化物薄膜晶體管，包括第二有源層；其中，

所述凹槽貫穿所述層間絕緣層，且所述凹槽的深度延伸至所述氧硅化物層的表面，所述第二有源層位于所述凹槽內的所述氧硅化物層表面。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括設置于所述第一有源層上的第一柵極，所述第一柵極與所述第一有源層之間設置有第一柵極絕緣層，所述第一柵極上覆蓋有第一層間絕緣層，所述凹槽貫穿所述第一層間絕緣層，且所述凹槽的深度延伸至所述第一柵極絕緣層的表面。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括設置于所述第一有源層上的第一柵極和金屬層，所述第一柵極與所述第一有源層之間設置有第一柵極絕緣層，所述金屬層與所述第一柵極之間設置有第二柵極絕緣層，所述金屬層上覆蓋有第一層間絕緣層，所述凹槽依次貫穿所述第一層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層，且所述凹槽的深度延伸至所述第一柵極絕緣層的表面。

4.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括設置于所述第一層間絕緣層上的第一連接層，所述第一層間絕緣層還包括第一過孔，所述第一連接層通過所述第一過孔與所述第一有源層連接，所述第一連接層與所述第二有源層的材料相同。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括氫氧調節層，所述氫氧調節層覆蓋所述第二有源層。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管還包括設置于所述第二有源層上的源極和漏極，所述氫氧調節層設置于所述源極和漏極上。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

S10，在一襯底上形成低溫多晶硅薄膜晶體管的第一有源層；

S20，在所述第一有源層上依次形成柵極絕緣層、第一柵極以及層間絕緣層，其中，所述柵極絕緣層包括氧硅化物層；

S30，對所述層間絕緣層進行刻蝕以形成凹槽，其中，所述凹槽避讓于所述第一有源層，且貫穿所述層間絕緣層，所述凹槽的深度延伸至所述氧硅化物層的表面；以及

S40，在所述凹槽內形成氧化物薄膜晶體管的第二有源層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，

在所述S20中，在所述第一有源層上依次形成第一柵極絕緣層、第一柵極、第二柵極絕緣層、金屬層以及第一層間絕緣層；

在所述S30中，對所述第一層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層進行刻蝕以形成所述凹槽，其中，所述凹槽的深度延伸至所述第一柵極絕緣層的表面。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述S40后，所述制備方法還包括：

在所述第二有源層上形成氫氧調節層，其中，所述氫氧調節層覆蓋所述第二有源層。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1～6任一項所述的陣列基板以及設置于所述陣列基板上的發光層。