[發明專利]芯片老化性能建模方法、裝置、設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202011611165.4
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112651210B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 張亞光
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;G06F115/10;G06F119/02;G06F119/08
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種芯片老化性能建模方法，其特征在于，包括：

對影響芯片性能的目標電路模塊進行加速測試，得到測試結果；

根據所述測試結果建立所述目標電路模塊的第一性能參數隨時間變化的第一函數關系；

建立在所述芯片未老化的狀態下，所述目標電路模塊的所述第一性能參數與所述芯片的第二性能參數之間的第二函數關系；

根據所述第一函數關系以及所述第二函數關系，建立所述芯片的所述第二性能參數隨時間變化的老化性能模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片為中央處理器CPU芯片，所述目標電路模塊為環形振蕩器電路。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一性能參數包括所述環形振蕩器每一級的延遲，根據所述測試結果建立所述目標電路模塊的第一性能參數隨時間變化的第一函數關系，包括：

在對所述環形振蕩器進行加速測試的過程中，在第一預設時間段內監測所述環形振蕩器中的每一級的延遲，獲得所述環形振蕩器中的每一級的延遲隨時間變化的函數關系。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二性能參數包括所述CPU內核中的邏輯電路的最小工作電壓，建立在所述芯片未老化的狀態下，所述目標電路模塊的第一性能參數與所述芯片的第二性能參數之間的第二函數關系，包括：

在第二預設時間段內監測所述CPU內核中的邏輯電路的最小工作電壓以及所述環形振蕩器中的每一級的延遲，獲得所述環形振蕩器中的每一級的延遲與所述邏輯電路的最小工作電壓之間的函數關系。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二性能參數包括：

所述芯片中的緩存電路的最小工作電壓或工作頻率。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一性能參數包括：

所述芯片中的環形振蕩器的振蕩頻率。

7.一種芯片老化性能建模裝置，其特征在于，包括：

測試模塊，被配置為對影響芯片性能的目標電路模塊進行加速測試，得到測試結果；

第一建立模塊，被配置為根據所述測試結果建立所述目標電路模塊的第一性能參數隨時間變化的第一函數關系；

第二建立模塊，被配置為建立在所述芯片未老化的狀態下，所述目標電路模塊的所述第一性能參數與所述芯片的第二性能參數之間的第二函數關系；

第三建立模塊，被配置為根據所述第一函數關系以及所述第二函數關系，建立所述芯片的所述第二性能參數隨時間變化的老化性能模型。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述芯片為中央處理器CPU芯片，所述目標電路模塊為環形振蕩器電路。

9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一性能參數包括所述環形振蕩器每一級的延遲，所述第一建立模塊具體被配置為：

在對所述環形振蕩器進行加速測試的過程中，在第一預設時間段內監測所述環形振蕩器中的每一級的延遲，獲得所述環形振蕩器中的每一級的延遲隨時間變化的函數關系。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第二性能參數包括：

所述CPU內核中的邏輯電路的最小工作電壓，所述第二建立模塊具體被配置為：

在第二預設時間段內監測所述CPU內核中的邏輯電路的最小工作電壓以及所述環形振蕩器中的每一級的延遲，獲得所述環形振蕩器中的每一級的延遲與所述邏輯電路的最小工作電壓之間的函數關系。

11.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第二性能參數包括：

所述芯片中的緩存電路的最小工作電壓或工作頻率。

12.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一性能參數包括：

所述芯片中的環形振蕩器的振蕩頻率。