[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011609599.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN112582017A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鐘哲;李炯尚
• 申請（專利權(quán)）人: 東芯半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/26
• 分類號(hào): G11C29/26;G06F12/0882;G06F13/42
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 杜娟;駱希聰

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：

存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列中包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被劃分為多個(gè)頁，每個(gè)頁中的多個(gè)存儲(chǔ)單元與同一字線相連接；

頁緩存陣列，通過位線與所述存儲(chǔ)單元陣列相連接，所述頁緩存陣列包括多個(gè)頁緩存器組，每個(gè)所述頁緩存器組中包括多級頁緩存器，所述多級頁緩存器中包括至少一個(gè)第一頁緩存器，所述第一頁緩存器中包括錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元，所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元適于累計(jì)與所述頁緩存器組連接的多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中的錯(cuò)誤頁數(shù)量。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元包括第一鎖存器，當(dāng)所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中存在錯(cuò)誤頁時(shí)，所述第一鎖存器的鎖存數(shù)據(jù)的邏輯值被翻轉(zhuǎn)，將翻轉(zhuǎn)次數(shù)作為所述錯(cuò)誤頁計(jì)數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括：

信號(hào)發(fā)生器，適于產(chǎn)生寫入所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中的測試數(shù)據(jù)；

輸入輸出電路，適于從所述頁緩存陣列接收所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的目標(biāo)數(shù)據(jù)；以及

比較單元，適于比較所述測試數(shù)據(jù)和所述目標(biāo)數(shù)據(jù)是否相同，并將比較結(jié)果輸出至所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元，當(dāng)所述比較結(jié)果為不同時(shí)，表示所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中存在錯(cuò)誤頁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第一頁緩存器中還包括第二鎖存器，所述第二鎖存器適于存儲(chǔ)與所述第一頁緩存器連接的第一目標(biāo)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，在所述多級頁緩存器中還包括多個(gè)第二頁緩存器，所述多個(gè)第二頁緩存器中不包括所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第二頁緩存器中包括第三鎖存器，所述第三鎖存器適于存儲(chǔ)與所述第二頁緩存器連接的第二目標(biāo)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括地址譯碼器，所述地址譯碼器中包括與運(yùn)算單元，所述與運(yùn)算單元包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端，地址選擇信號(hào)和所述第一輸入端相連接，所述比較結(jié)果和所述第二輸入端相連接，所述輸出端和所述第一鎖存器的第一復(fù)位端相連接。

8.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，還包括控制器，所述控制器產(chǎn)生比較使能信號(hào)，所述控制器控制所述比較單元在所述比較使能信號(hào)的有效時(shí)段內(nèi)執(zhí)行比較操作。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述控制器還控制所述多個(gè)頁緩存器組中的多個(gè)所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元順序地累計(jì)與每個(gè)所述頁緩存器組連接的多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中的錯(cuò)誤頁數(shù)量。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是SPINAND閃存。

11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測試方法，其特征在于，包括：

向多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中寫入測試數(shù)據(jù)；

從頁緩存器組接收所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的目標(biāo)數(shù)據(jù)，所述多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元通過位線與一個(gè)頁緩存器組連接，所述頁緩存器組中包括多級頁緩存器，所述多級頁緩存器中包括至少一個(gè)第一頁緩存器，所述第一頁緩存器中包括錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元；

比較所述測試數(shù)據(jù)和所述目標(biāo)數(shù)據(jù)是否相同，并將比較結(jié)果輸出至所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元，所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元根據(jù)所述比較結(jié)果累計(jì)與所述頁緩存器組連接的多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元中的錯(cuò)誤頁數(shù)量。

12.如權(quán)利要求11所述的測試方法，其特征在于，所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)單元包括第一鎖存器，當(dāng)所述比較結(jié)果為不同時(shí)，所述第一鎖存器的鎖存數(shù)據(jù)的邏輯值被翻轉(zhuǎn)，將翻轉(zhuǎn)次數(shù)作為所述錯(cuò)誤頁計(jì)數(shù)。

13.如權(quán)利要求12所述的測試方法，其特征在于，所述第一頁緩存器中還包括第二鎖存器，所述第二鎖存器適于存儲(chǔ)與所述第一頁緩存器連接的第一目標(biāo)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。