[發(fā)明專利]一種薄型雙面柔性電路板的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011609342.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112822855A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳妙芳;續(xù)振林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門柔性電子研究院有限公司;廈門弘信電子科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/06 | 分類號(hào): | H05K3/06 |
| 代理公司: | 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331 | 代理人: | 高會(huì)會(huì) |
| 地址: | 361000 福建省廈門市中國(guó)(福建)自由貿(mào)易*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙面 柔性 電路板 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種薄型雙面柔性電路板的制作方法,包括:雙面銅箔基板備料→鉆定位孔→貼干膜→局部曝光→顯影→蝕薄銅→脫膜→鉆孔→等離子處理→黑影→鍍銅→干膜前處理→貼干膜→線路曝光→DES。本發(fā)明采用雙面銅箔基板,基材層的厚度與產(chǎn)品所需的基材層厚度相同,銅層的厚度比產(chǎn)品的基銅層厚度厚,本發(fā)明不對(duì)整體銅層進(jìn)行蝕薄減銅,而是采用產(chǎn)品區(qū)域局部曝光顯影工藝將產(chǎn)品區(qū)域顯影出,并采用蝕薄銅工藝將產(chǎn)品區(qū)域的銅層單獨(dú)蝕刻減薄至產(chǎn)品所需基銅層厚度,得到所需厚度不同的雙面銅箔基板,使產(chǎn)品區(qū)域滿足產(chǎn)品制作要求,非產(chǎn)品區(qū)域相對(duì)厚,在產(chǎn)品線路制作及后續(xù)整板制作的各制程中,支撐整個(gè)基板板面,有效改善產(chǎn)品皺折不良。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及柔性電路板的制作技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種薄型雙面柔性電路板的制作方法。
背景技術(shù)
隨著便捷式電子產(chǎn)品的超薄化發(fā)展,其所用的柔性電路板超來超薄,在制作過程中易造成皺折不良,為改善產(chǎn)品皺折不良,現(xiàn)有的薄型雙面柔性電路板,雙面銅箔基板先采用蝕薄銅工藝將其銅層整體減薄至產(chǎn)品要求的基銅層厚度后,再進(jìn)行產(chǎn)品加工制作,如原12μm的銅層減銅至9μm后再制作產(chǎn)品,基材層厚度12.5μm、20μm,基板整體厚度只有30.5μm、38μm或更低,很薄很薄,在后續(xù)制程加工中,易皺折造成產(chǎn)品不良率高,雙面銅箔基板兩面都有銅層,不能采用承載膜貼附改善,因此,急需一種有效改善產(chǎn)品皺折的制作方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可有效改善產(chǎn)品皺折的薄型雙面柔性電路板的制作方法。
為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的解決方案是:
一種薄型雙面柔性電路板的制作方法,其包括以下步驟:
步驟A,雙面銅箔基板備料:準(zhǔn)備雙面銅箔基板,基材層的厚度與產(chǎn)品所需的基材層厚度相同,第一銅層和第二銅層的厚度比產(chǎn)品的基銅層厚度厚一定預(yù)設(shè)值;
步驟B,鉆定位孔:在雙面銅箔基板上鉆曝光對(duì)位所需的定位孔;
步驟C,貼干膜:將干膜熱貼合于雙面銅箔基板的第一銅層和第二銅表面;
步驟D,局部曝光:將兩層蝕薄銅圖形分別曝光轉(zhuǎn)移到對(duì)應(yīng)干膜層上,蝕薄銅圖形為:產(chǎn)品拼板的非產(chǎn)品區(qū)域?qū)?yīng)干膜曝光,產(chǎn)品區(qū)域?qū)?yīng)干膜不曝光,不曝光的產(chǎn)品區(qū)域在產(chǎn)品外形的基礎(chǔ)上整體外拓一預(yù)設(shè)值;
步驟E,顯影:將經(jīng)過曝光處理的雙面銅箔基板上的兩面干膜層進(jìn)行顯影處理,第一銅層上干膜顯影出第一干膜層,第二銅上顯影出第二干膜層;
步驟F,蝕薄銅:將步驟E得到的雙面銅箔基板進(jìn)行蝕薄銅處理,將產(chǎn)品區(qū)域?qū)?yīng)的第一銅層和第二銅層的厚度蝕刻減薄至產(chǎn)品所需基銅層厚度,得到所需厚度不同的第一銅層和第二銅;
步驟G,脫膜:脫膜處理去除第一干膜層和第二干膜層;
步驟H,鉆孔:將步驟G得到的雙面銅箔基板進(jìn)行鉆孔處理,制作所需導(dǎo)通孔及工藝孔;
步驟J,等離子處理:將步驟H得到的雙面銅箔基板進(jìn)行等離子處理,除膠去除孔內(nèi)殘膠;
步驟K,黑影:將步驟J得到的雙面銅箔基板進(jìn)行黑影處理,在孔壁的基材層上一層導(dǎo)電介質(zhì)層;
步驟L,鍍銅:將步驟K得到的雙面銅箔基板進(jìn)行鍍銅處理,鍍上產(chǎn)品所需的孔銅及面銅;
步驟M,干膜前處理:將步驟L得到的雙面銅箔基板進(jìn)行微蝕處理,粗化及清潔銅層表面;
步驟N,貼干膜:將兩層干膜熱貼合于雙面銅箔基板的第一銅層和第二銅層表面;
步驟P,線路曝光:將產(chǎn)品的兩層線路圖形層分別曝光轉(zhuǎn)移到雙面銅箔基板的上下兩層干膜上;
步驟Q,DES:將步驟P得到的雙面銅箔基板進(jìn)行顯影蝕刻脫膜,制作出線路圖形層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門柔性電子研究院有限公司;廈門弘信電子科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)廈門柔性電子研究院有限公司;廈門弘信電子科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011609342.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





