[發明專利]刻蝕烘烤設備的外延片載具

有效

• 申請號: 202011609284.6
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112885768B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 王飛;劉華明;黃李園;薛濤
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01J37/32;C30B33/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種刻蝕烘烤設備的外延片載具，屬于刻蝕烘烤設備技術領域。所述外延片載具包括：基座和放片支架，所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片組件，所述第一立板和所述第二立板通過第一連接件平行且相對設置，所述放片組件設置在所述第一立板和所述第二立板之間以在所述第一立板和所述第二立板之間層疊放置若干外延片；所述放片支架通過所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安裝在所述基座上。本公開能夠提升外延片載具放置的外延片數量。

技術領域

本公開涉及刻蝕烘烤設備技術領域，特別涉及一種刻蝕烘烤設備的外延片載具。

背景技術

半導體LED(Light Emitting Diode，發光二極管)具有高效節能和綠色環保的優點，在交通指示和戶外全色顯示等領域有著廣泛的應用。因為設備、工藝、生產等異常因素，導致在MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化合物化學氣相沉淀)設備生長的部分LED外延片達不到標準要求，而做報廢處理，外延報廢片(報廢處理的LED外延片)不能再次利用，造成較大損失。為實現損失挽回，可通過刻蝕爐對報廢片進行刻蝕動作，將報廢襯底上的生長GaN薄膜剝離，實現變廢為新的目的。

刻蝕爐的工作原理主要是，通過爐內加熱升溫至600攝氏度，并通過腔體上端氣流孔，將一定比例的氮氯混合氣體均勻通入爐內，在外延報廢片上進行化學反應。氯氣的腐蝕特性將外延報廢片上的GaN薄膜進行剝離，外延報廢片重新轉化為外延生長所需的襯底。

相關技術中，刻蝕爐機臺是依靠石墨盤作為刻蝕片載具，爐內反應腔內放置兩塊石墨盤，每塊石墨盤的盤面在同一水平面上均勻地分布有若干片槽，如14個片槽，石墨盤能夠放置14片4寸PSS(Patterned Sapphire Substrate，圖形化藍寶石襯底)，每爐的產能為28片，產出較低，刻蝕成本較大。

發明內容

本公開實施例提供了一種刻蝕烘烤設備的外延片載具，能夠提升外延片載具放置的外延片數量。所述技術方案如下：

一種刻蝕烘烤設備的外延片載具，所述外延片載具包括：基座和放片支架，

所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片組件，所述第一立板和所述第二立板通過第一連接件平行且相對設置，所述放片組件設置在所述第一立板和所述第二立板之間以在所述第一立板和所述第二立板之間層疊放置若干外延片；

所述放片支架通過所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安裝在所述基座上。

可選地，所述基座包括：第一基板和第二基板，

所述第一基板和所述第二基板通過第二連接件平行且相對設置，所述第一基板和所述第二基板的相對面上均設有放置槽；

所述第一立板與所述第一基板上的放置槽相配合，所述第二立板與所述第二基板上的放置槽相配合。

可選地，所述第一基板和所述第二基板均包括相對且平行的第一側邊和第二側邊，

所述第一基板和所述第二基板的上均設有若干氣流孔，

所述放置槽靠近所述第一側邊，所述氣流孔靠近所述第二側邊。

可選地，所述放片組件包括：四根第一支撐桿，

所述四根第一支撐桿相平行地夾設在所述第一立板和所述第二立板之間，每根第一支撐桿的兩端分別連在所述第一立板和所述第二立板上，

每根第一支撐桿的外壁在徑向設有第一卡槽，每根第一支撐桿上的第一卡槽的數量為多個且沿每根第一支撐桿的軸向間隔分布，每根第一支撐桿在同一平面下的第一卡槽截面的槽底連線與外延片的部分外輪廓相配合。

可選地，所述第一卡槽包括槽口和與所述槽口連通的溝槽，