[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011609119.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113072034A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡育軒;賴律名;方芊媁;黃敬涵
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含裸片座、多個(gè)引線、電子組件和封裝體。所述多個(gè)引線中的每一個(gè)與所述裸片座分離且具有面向所述裸片座的內(nèi)側(cè)表面。所述電子組件安置于所述裸片座上。所述封裝體覆蓋所述裸片座、所述多個(gè)引線和所述電子組件。所述封裝體與所述裸片座的底部表面和所述多個(gè)引線的所述內(nèi)側(cè)表面直接接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法。

背景技術(shù)

MEMS裝置(如本文中所使用，術(shù)語“MEMS”可指代單個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)或指代多個(gè)微機(jī)電系統(tǒng))是通過微型化整合于芯片中的半導(dǎo)體元件。隨著如智能電話和平板電腦的行動裝置逐漸變得普遍，MEMS裝置已收獲大量關(guān)注。

MEMS裝置大體上包含裸片、引線框和模制原料。由于模制原料的熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion；CTE)顯著不同于引線框的熱膨脹系數(shù)，故由于溫度改變可能產(chǎn)生熱應(yīng)力，尤其在回焊工藝中更是如此。期望減小MEMS裝置中的應(yīng)力以改進(jìn)其性能。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含裸片座、多個(gè)引線、電子組件和封裝體。多個(gè)引線中的每一個(gè)與裸片座分離且具有面向裸片座的內(nèi)側(cè)表面。電子組件安置于裸片座上。封裝體覆蓋裸片座、多個(gè)引線和電子組件。封裝體與裸片座的底部表面和多個(gè)引線的內(nèi)側(cè)表面直接接觸。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含第一介電層、多個(gè)引線、裸片座、電子組件、多個(gè)線接合和第二介電層。多個(gè)引線鄰接第一介電層的側(cè)面安置。裸片座安置于第一介電層上且與多個(gè)引線分離。電子組件安置于裸片座的上表面上。多個(gè)線接合電連接到電子組件和多個(gè)引線。第二介電層密封多個(gè)引線、裸片座、電子組件和線接合。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法包含：提供包含裸片座和與裸片座分離的多個(gè)引線的引線框；將電子組件安置于裸片座的上表面上且將電子組件電連接到多個(gè)引線；以及形成覆蓋裸片座、多個(gè)引線和電子組件的封裝體以產(chǎn)生半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。裸片座的底部表面高于多個(gè)引線的底部表面。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述容易理解本公開的各方面。應(yīng)注意，各種特征可能并不按比例繪制。實(shí)際上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各個(gè)特征的尺寸。

圖1A是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面。

圖1B是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的另一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面。

圖2是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的另一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面。

圖3A是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的另一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖3B是如圖3A中所說明的根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面。

圖4A、圖4A(a)、圖4A(b)、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的各個(gè)階段。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E和圖5F說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的另一方法的各個(gè)階段。

貫穿圖式和詳細(xì)描述使用共同參考標(biāo)號來指示相同或類似組件。根據(jù)以下結(jié)合附圖作出的詳細(xì)描述，本公開將更顯而易見。

具體實(shí)施方式