[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011609119.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113072034A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡育軒;賴律名;方芊媁;黃敬涵
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

裸片座；

多個引線，其與所述裸片座分離，所述多個引線中的每一個具有面向所述裸片座的內(nèi)側(cè)表面；

電子組件，其安置于所述裸片座上；以及

封裝體，其覆蓋所述裸片座、所述多個引線和所述電子組件，所述封裝體與所述裸片座的底部表面和所述多個引線的所述內(nèi)側(cè)表面直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述多個引線中的每一個具有與所述內(nèi)側(cè)表面相對的外部表面，且所述多個引線的所述外部表面從所述封裝體中暴露。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述多個引線的所述外部表面與所述封裝體的側(cè)面共面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述裸片座的所述底部表面高于所述多個引線的底部表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述裸片座的所述底部表面高于所述多個引線的上表面或與所述多個引線的上表面共面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述電子組件通過多個線接合來電連接到所述多個引線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括：

多個凸點，其電連接到所述多個引線；以及

印刷電路板，所述多個凸點安置于其上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述封裝體一件式形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述封裝體密封所述裸片座的所述底部表面。

10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

第一介電層；

多個引線，其鄰接所述第一介電層的側(cè)面；

裸片座，其安置于所述第一介電層上且與所述多個引線分離；

電子組件，其安置于所述裸片座的上表面上；

多個線接合，其電連接到所述電子組件和所述多個引線；以及

第二介電層，其密封所述多個引線、所述裸片座、所述電子組件和所述線接合。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一介電層的上表面處于第一高度，且所述多個引線的上表面處于第二高度，其中所述第一高度高于所述第二高度或大體上與所述第二高度相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一介電層的上表面低于所述多個引線的上表面且高于所述多個引線的底部表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述裸片座與所述第一介電層直接接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一介電層和所述第二介電層由相同材料制成。

15.一種用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

提供引線框，其包括裸片座和與所述裸片座分離的多個引線；

將電子組件安置于所述裸片座的上表面上且將所述電子組件電連接到所述多個引線；以及

形成覆蓋所述裸片座、所述多個引線和所述電子組件的封裝體，以產(chǎn)生所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，

其中所述裸片座的底部表面高于所述多個引線的底部表面。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述裸片座的所述底部表面高于所述多個引線的上表面或與所述多個引線的上表面共面。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述封裝體一件式形成。