[發明專利]一種紅外熱電堆傳感器的制造方法

有效

• 申請號: 202011606853.1
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112736185B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 韓鳳芹;向陽輝;丁敬秀
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H10N10/01
• 分類號: H10N10/01;H10N10/17;H10N19/00;H01C17/14;H01C17/12;H01C7/00
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

1.一種紅外熱電堆傳感器的制造方法，包括基板以及形成在所述基板上的熱敏電阻，其中在所述基板上形成所述熱敏電阻的方法包括：

提供基板，所述基板內形成有熱電堆結構；

提供頂蓋，頂蓋包括位于四周的側壁，和側壁上方的蓋板；

通過沉積工藝在所述側壁上或者蓋板上形成熱敏電阻薄膜層；

圖形化所述熱敏電阻薄膜層，形成所述熱敏電阻；

在所述熱敏電阻的兩端通過沉積工藝形成電極，以實現對所述熱敏電阻的電性連接；

將所述頂蓋鍵合在所述基板上，所述頂蓋與所述熱電堆結構的上表面形成第一空腔，所述熱敏電阻被密封在所述第一空腔內部。

2.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻形成于所述熱電堆結構前或形成于所述熱電堆結構后。

3.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱電堆結構包括多種膜層，所述熱敏電阻的材料與其中一種膜層的材料相同。

4.如權利要求2或3所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱電堆結構包括冷結和熱結，所述熱敏電阻靠近所述冷結設置。

5.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻的材料包括金屬或金屬氧化物或半導體。

6.如權利要求5所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述金屬包括鋁、銅、鎳、鉻、鐵、鈦、金、銀、鉑、錳、鈷、鋅等一種、兩種或兩種以上的金屬材料。

7.如權利要求5所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述半導體包括：本征半導體或含重金屬摻雜的半導體，所述重金屬摻雜的離子為：鋁、銅、金、鉑、銀、鎳、鐵、錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩中的一個或多個。

8.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻薄膜層通過原子層沉積或濺射工藝形成。

9.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻的厚度小于5000納米。

10.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻方塊電阻為20-100Ω/□。

11.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻的形狀包括S形排布或者螺旋狀排布的線條狀。

12.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述基板的材料為半導體。

13.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述紅外熱電堆傳感器包括多個所述熱敏電阻。

14.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻的材料與所述電極的材料相同，形成所述熱敏電阻和所述電極包括：

在所述頂蓋上沉積薄膜層，圖形化所述薄膜層形成所述熱敏電阻和所述電極。

15.如權利要求1所述的紅外熱電堆傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻的材料和所述電極的材料不同，形成所述熱敏電阻前或形成所述熱敏電阻后，在所述熱敏電阻的兩端通過金屬剝離工藝形成所述電極。