[發明專利]一種硅基OLED微顯示屏及應用于該顯示屏的Micro Lens的制造方法在審
| 申請號: | 202011606601.9 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112635513A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 王健波;吳遠武;王紹華;吳迪 | 申請(專利權)人: | 湖畔光電科技(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/58;G03F7/00 |
| 代理公司: | 南京勤行知識產權代理事務所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 陳燁 |
| 地址: | 213200 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示屏 應用于 micro lens 制造 方法 | ||
本發明涉及微型顯示技術領域,尤其是一種硅基OLED微顯示屏及應用于該顯示屏的Micro Lens的制造方法;包括硅基OLED微顯示屏和具有Micro Lens結構的蓋板玻璃,所述蓋板玻璃上有Micro Lens結構,Micro Lens結構包括若干微結構一,位于每個微結構一上的微結構二,以及位于每個微結構二上方的光刻膠微結構,每個光刻膠微結構包覆微結構一和微結構二設置,本發明是基于蓋板玻璃制作,在玻璃刻蝕出微結構,之后再在襯底表面用有機材料制作出微透鏡,玻璃微結構和微透鏡一起組成Micro Lens,相比于只是采用光刻膠材料制作出的Micro Lens,亮度能夠提升30%以上。
技術領域
本發明涉及微型顯示技術領域,尤其是一種硅基OLED微顯示屏及應用于硅基OLED微顯示屏的Micro Lens的制造方法。
背景技術
在微型顯示技術領域,硅基MicroOLED是近幾年發展較為快速的技術,而且已經開始進入商用量產階段。目前硅基OLED微顯示屏彩色化大多采用白光加彩色濾光膜(Colorfilter,簡稱CF)的方案,亮度基本都在1500cd/m2以內,而市場越來越多的產品對其亮度要求在3000cd/m2以上。現有的OLED器件依靠材料和器件優化,提升的亮度有限,并且隨著亮度提升,器件的壽命也會受到影響。
基于硅基OLED襯底直接制作Micro Lens對制作材料要求很高,需要低溫(90℃)就能固化形成lens結構。目前能夠達到2um以內分辨率并且是低溫制作工藝的材料,價格非常高,并且只有少數材料廠商才能夠提供。同時,基于硅基OLED襯底直接制作Micro Lens的工藝控制要求較高,良率提升有一定難度。
基于蓋板玻璃,只采用光刻膠固化制作Micro Lens的方法,對于亮度的提升有一定效果,但是還可以提升的更高。
發明內容
本發明的目的是:克服現有技術中的不足,提供一種亮度高的硅基OLED微顯示屏。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案如下:
一種硅基OLED微顯示屏,包括硅基OLED微顯示屏和具有Micro Lens結構的蓋板玻璃,顯示屏和蓋板玻璃之間通過貼合膠連接,所述硅基OLED微顯示屏包括從上到下依次層疊設置的彩色濾光膜、薄膜封裝層、OLED層和硅基CMOS驅動背板;
所述蓋板玻璃與硅基OLED微顯示屏的接觸面上有Micro Lens結構,所述MicroLens結構包括若干微結構一,位于每個微結構一上的微結構二,以及位于每個微結構二上方的光刻膠微結構,每個光刻膠微結構包覆微結構一和微結構二設置,若干光刻膠微結構等間距設置。
進一步的,所述光刻膠微結構、微結構一和微結構二的中心相同。
進一步的,所述微結構一的橫截面為矩形圖形,所述光刻膠圖形的橫截面的寬度為0.4μm~0.8μm,所述矩形圖形的長寬比為(1:1)~(1:3),微結構一的高度為0.2μm~0.5μm。
進一步的,所述若干微結構一中相鄰微結構一之間的間距為2~5μm。
進一步的,所述微結構二的橫截面為矩形圖形,所述光刻膠圖形的橫截面的寬度為1~1.2um,所述矩形圖形的長寬比為(1:1)~(1:3),微結構二的高度為0.2um~0.5um。
進一步的,所述若干微結構二中相鄰微結構二之間的間距為2~5μm。
進一步的,所述光刻膠微結構為半球形結構。
進一步的,所述半球形結構的底面為圓形或橢圓形,當其為圓形時,其直徑為1.5~3um;當其為橢圓形時,其短軸長度為1.5~3um,其長軸和短軸的直徑為(1:1.1)~(1:3),所述半球形結構的高度為光刻膠的厚度為1.2~3um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





