[發明專利]顯示裝置和制造顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202011605443.5 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN113066824A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發明(設計)人: | 崔泰赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 趙嫦;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種制造顯示裝置的方法,所述方法包括:
制備基板,所述基板包括透射區域、圍繞所述透射區域的顯示區域以及在所述透射區域與所述顯示區域之間的非顯示區域;
在所述基板上提供多個絕緣層,并且形成通過所述多個絕緣層中的一些絕緣層的與所述非顯示區域相對應的開口;
在與所述顯示區域相對應的所述多個絕緣層上提供像素電極;
提供覆蓋所述像素電極的保護層;
提供覆蓋所述保護層以及所述開口的側表面和底表面的掩模層;
去除所述掩模層的位于所述開口的所述底表面上的部分;
在所述去除所述掩模層的位于所述開口的所述底表面上的所述部分之后,通過去除所述開口的下層來形成槽;
去除所述掩模層;
去除所述保護層;以及
在所述像素電極上提供中間層,
其中,所述中間層包括有機材料層,并且
所述有機材料層延伸到所述非顯示區域并且被所述槽斷開。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述保護層至少覆蓋所述像素電極的布置有發射層的區域。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述保護層包括有機材料。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述保護層包括光致抗蝕劑。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述保護層包括有機油墨。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,通過剝離工藝去除所述保護層。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,所述掩模層包括導電氧化物。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,通過濕蝕刻工藝去除所述掩模層的位于所述開口的所述底表面上的所述部分。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,通過濕蝕刻工藝去除所述掩模層。
10.根據權利要求1所述的方法,其中,通過干蝕刻工藝去除所述開口的所述下層。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,所述基板包括:
第一基底層;
在所述第一基底層上的第一阻擋層;
在所述第一阻擋層上的第二基底層;以及
在所述第二基底層上的第二阻擋層。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述開口的所述下層包括所述第二基底層和所述第二阻擋層。
13.根據權利要求1所述的方法,其中,所述開口的所述下層包括:
無機層;和
位于所述無機層下方的有機層。
14.一種顯示裝置,包括:
基板,所述基板包括透射區域、圍繞所述透射區域的顯示區域以及在所述透射區域與所述顯示區域之間的非顯示區域;
設置在所述基板上的多個絕緣層;
設置在所述多個絕緣層上與所述顯示區域相對應的顯示元件,其中,所述顯示元件包括像素電極、相對電極以及在所述像素電極與所述相對電極之間的中間層;
覆蓋所述像素電極的邊緣的像素限定層,其中,限定通過所述像素限定層的與所述像素電極的一部分相對應的開口;以及
設置在所述像素限定層的所述開口的內表面處的有機材料,
其中,在所述非顯示區域中限定槽,
其中,所述中間層包括有機材料層,并且所述有機材料層延伸到所述非顯示區域并且被所述槽斷開,并且
所述槽被限定在包括下層和上層的多層中,并且選自所述下層和所述上層中的至少一個由構成所述基板的層中的至少一個來限定。
15.根據權利要求14所述的顯示裝置,其中,所述有機材料包括光致抗蝕劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





