[發(fā)明專(zhuān)利]樹(shù)脂組成物、預(yù)浸片及印刷電路板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011605136.7
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113493602A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳彥興;張淳浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江西聯(lián)茂電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C08L71/12
• 分類(lèi)號(hào): C08L71/12;C08L9/00;C08K7/26;C08K3/40;C08K7/24;C08K7/18;C08K7/00;C08J5/24;B32B15/14;B32B5/02;B32B27/04;B32B27/20;B32B33/00;H05K1/02
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;付文川

本發(fā)明公開(kāi)一種樹(shù)脂組成物、預(yù)浸片及印刷電路板。樹(shù)脂組成物是用于形成一介電基材層，樹(shù)脂組成物包括高分子基材料以及填料。以樹(shù)脂組成物的總體積為100體積百分比，樹(shù)脂組成物包括10體積百分比至60體積百分比的高分子基材料以及1體積百分比至80體積百分比的填料，填料包括第一中空填料，第一中空填料的材料是二氧化硅。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種樹(shù)脂組成物、預(yù)浸片及印刷電路板，特別是涉及一種具有低介電常數(shù)以及低介電損耗的樹(shù)脂組成物、預(yù)浸片及印刷電路板。

背景技術(shù)

為了因應(yīng)高頻傳輸?shù)男枨螅壳皹I(yè)界對(duì)高頻傳輸系統(tǒng)以及無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)備的特性要求不斷提高。一般來(lái)說(shuō)，電路組件中包括了一導(dǎo)電金屬層以及一介電基材層，為了符合高頻傳輸?shù)男枨螅殡娀膶有杈哂械徒殡姵?shù)、低介電損耗以及低被動(dòng)交互調(diào)變(passive intermodulation，PIM)的特性。

在現(xiàn)有技術(shù)中，硼硅酸鹽玻璃中空微球(borosilicate microsphere)會(huì)被添加于形成介電基材層的材料中。硼硅酸鹽玻璃中空微球的添加，可降低介電基材層的介電常數(shù)、提升介電基材層的機(jī)械強(qiáng)度，并可使介電基材層具有輕量化的優(yōu)點(diǎn)。

然而，硼硅酸鹽玻璃中空微球的材料中，包含了多種金屬氧化物，例如氧化鈉(Na₂O)、氧化硼(B₂O₃)及氧化鐵(Fe₂O₃)，這些金屬氧化物會(huì)使介電基材層的熔點(diǎn)下降，導(dǎo)致電路基板的熱穩(wěn)定性降低。并且，氧化鈉和氧化鐵會(huì)使得介電基材層的介電損耗上升，因此，硼硅酸鹽玻璃中空微球無(wú)法無(wú)上限的添加。

為了減緩金屬氧化物對(duì)介電基材層的特性上的負(fù)面影響，現(xiàn)有技術(shù)提出了對(duì)硼硅酸鹽玻璃中空微球進(jìn)行酸處理或堿處理的方法，但仍無(wú)法完全去除硼硅酸鹽玻璃中空微球的材料中的雜質(zhì)。在無(wú)法完全去除硼硅酸鹽玻璃中空微球中雜質(zhì)的情況下，介電基材層的介電損耗會(huì)隨著硼硅酸鹽玻璃中空微球的添加量上升。因此，目前市面上的介電基材層的熱穩(wěn)定性及介電特性仍有待改善。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種樹(shù)脂組成物、預(yù)浸片及印刷電路板。

為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是提供一種樹(shù)脂組成物。樹(shù)脂組成物是用于形成一介電基材層，以所述樹(shù)脂組成物的總體積為100體積百分比，所述樹(shù)脂組成物包括：10體積百分比至60體積百分比的高分子基材料及1體積百分比至80體積百分比的填料。所述填料包括一中空填料，所述中空填料包括一第一中空填料，所述第一中空填料的材料是二氧化硅。

更進(jìn)一步地，所述第一中空填料的平均粒徑為5微米至20微米。

更進(jìn)一步地，所述第一中空填料的比重為0.3至1.5。

更進(jìn)一步地，所述第一中空填料的材料的純度大于或等于99.8％。

更進(jìn)一步地，所述中空填料包括一第二中空填料，所述第二中空填料的材料是選自于由下列所構(gòu)成的群組：硼硅酸鹽、玻璃、白砂、粉煤灰及金屬硅酸鹽。

更進(jìn)一步地，所述第一中空填料與所述第二中空填料的體積比為0.8至5。

更進(jìn)一步地，所述中空填料包括一第三中空填料，所述第三中空填料的材料是選自于由下列所構(gòu)成的群組：丙烯腈、偏氯乙烯、酚樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂及脲樹(shù)脂。

更進(jìn)一步地，所述填料包括一實(shí)心填料，所述填料中包括1體積百分比至79體積百分比的實(shí)心填料以及1體積百分比至79體積百分比的中空填料。