[發明專利]一種集成電路的制備方法有效
| 申請號： | 202011604276.2 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112652566B | 公開（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發明（設計）人： | 魏姣陽;杜雷;張永忠;葉偉;余仁 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68;H01L23/544;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成電路 制備 方法 | ||
1.一種集成電路的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：
提供一機臺；
在所述機臺的臺面上放置一晶圓襯底；
在所述晶圓襯底上形成多個形狀和尺寸相同的芯片區域，每個所述芯片區域之間通過切割道區域進行分離，每個所述芯片區域內包含多個陣列排布的芯片或/和多個非陣列排布的芯片，所述芯片的制備方法包括：
提供一第一光罩，所述第一光罩的邊緣區域處設有多個第一圖形，通過所述第一光罩在所述晶圓襯底的對應切割道區域的位置形成分別與所述多個第一圖形對應的多個第一圖案；
利用所述多個第一圖案使所述第一光罩與所述機臺對準；
在所述晶圓襯底上形成多層薄膜層；
在所述芯片的所述多層薄膜層上設置第二光罩，所述第二光罩的邊緣區域處設有第二圖形和第三圖形，通過所述第二光罩在每個所述芯片區域之間的所述切割道區域的位置形成相同的且分別與所述第二圖形和所述第三圖形對應的多個第二圖案和多個第三圖案；
在所述芯片的所述多層薄膜層上形成電極層，所述電極層通過所述多個第二圖案和所述多個第三圖案進行對準；
其中，所述多個第一圖案、所述多個第二圖案和所述多個第三圖案之間不重疊；
所述第二圖案與所述第三圖案之間的間隔距離大于10μm。
2.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第一圖案、所述第二圖案和所述第三圖案的邊框區域與中間區域的水平高度不相同。
3.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第二圖案和所述第三圖案的形狀不相同。
4.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第二圖案和所述第三圖案的外框尺寸不相同。
5.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第二圖案和所述第三圖案沿所述芯片區域的外框間隔設置。
6.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第二圖案合圍的面積大于所述第三圖案合圍的面積。
7.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第二光罩與所述第一光罩相同。
8.根據權利要求1所述一種集成電路的制備方法，其特征在于，所述第一光罩上還設有所述第二圖形和所述第三圖形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
