[發(fā)明專利]一種高致密涂層的復(fù)合制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011602697.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112725765A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊玉卿;周暉;高恒蛟;何延春;曹生珠;成功
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘭州空間技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/40;C23C16/18
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 代麗

1.一種高致密涂層的復(fù)合制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，將基底放置于反應(yīng)室內(nèi)，并將反應(yīng)室抽真空；

步驟2，利用加熱裝置對(duì)基底加熱并保持；

步驟3，利用原子層沉積技術(shù)在基底上制備一層所需的涂層；

步驟4，利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備一層同種材料的涂層；

步驟5，重復(fù)上述步驟3～步驟4，直到涂層的厚度滿足要求為止。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合制備方法，其特征在于，所述步驟1中，將反應(yīng)室的真空度抽至1×10^-3Pa～5×10^-3Pa。

3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合制備方法，其特征在于，所述步驟2中的加熱溫度為400～900℃，依據(jù)所制備材料選取。

4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合制備方法，其特征在于，所述步驟3中，采用原子層沉積技術(shù)制備的涂層的厚度為0.05～0.1μm。

5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合制備方法，其特征在于，所述步驟4中，采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備的涂層的厚度為2～2.5μm。