[發(fā)明專利]一種低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011599413.8 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112526674B | 公開(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許吉;周天諾;楊昕澤;程慧超;郭曄翎;謝雨欣;劉寧;陸云清 | 申請(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/122 | 分類號: | G02B6/122 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210003 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 損耗 拱柱芯微納 波導(dǎo) | ||
本發(fā)明公開了一種低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo),包括襯底;所述襯底的頂部兩側(cè)設(shè)置有支撐層;所述支撐層的頂部設(shè)置有金屬層;兩側(cè)支撐層之間設(shè)置有高折射率層;所述高折射率層為拱柱狀結(jié)構(gòu);所述高折射率層周圍的空氣構(gòu)成低折射率區(qū)域。該拱柱芯微納波導(dǎo)可將光場限制在中間層的低折射率介質(zhì)區(qū)域中,整個波導(dǎo)結(jié)構(gòu)同時具有較強的模式限制能力和較長的傳輸距離。該混合等離激元波導(dǎo)結(jié)構(gòu)簡單,結(jié)構(gòu)集成度高且容易制備,為實現(xiàn)更高集成度的光子器件提供了可能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成光子器件領(lǐng)域,具體涉及一種低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo)。
背景技術(shù)
最近幾年,因為表面等離激元能夠突破衍射極限,在亞波長下實現(xiàn)光的模式局域,納米尺度下基于表面等離激元的光波導(dǎo)器件已經(jīng)被廣泛的研究。然而金屬帶來的損耗導(dǎo)致波導(dǎo)模式的傳播距離很小,限制了表面等離激元波導(dǎo)及波導(dǎo)型器件的應(yīng)用。因此能有效降低損耗和增大傳輸距離的混合等離激元波導(dǎo)結(jié)構(gòu)被提出。混合等離激元波導(dǎo)(hybridplasmonic waveguide ,HPWs)的關(guān)鍵點就是在金屬和高折射率介質(zhì)間引入了低折射率間隙,實現(xiàn)了光的強束縛效果以及實現(xiàn)了相對長的傳輸距離。在傳輸距離和模式局域兩方面混合等離激元波導(dǎo)展示出了一個很好的權(quán)衡,這種結(jié)構(gòu)增加了表面等離激元在高集成光子器件方面的應(yīng)用潛力。但是傳統(tǒng)的混合等離激元波導(dǎo)的傳輸距離只有幾十到幾百微米。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo),以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的傳輸距離過短的問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:
一種低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo),包括襯底;所述襯底的頂部兩側(cè)設(shè)置有支撐層;所述支撐層的頂部設(shè)置有金屬層;兩側(cè)支撐層之間設(shè)置有高折射率層;所述高折射率層為拱柱狀結(jié)構(gòu);所述高折射率層周圍的空氣構(gòu)成低折射率區(qū)域。
進一步的,所述金屬層的材料為Ag;所述支撐層的材料為ZnO;所述高折射率層的材料為Si;所述襯底的材料為SiO2。
進一步的,所述支撐層和金屬層之間還設(shè)置有固定層。
進一步的,所述固定層的材料為Si3N4。
進一步的,所述高折射率層的頂部和固定層之間的間隙為50nm。
進一步的,所述高折射率層的折射率為3.478。
進一步的,所述拱柱狀結(jié)構(gòu)的寬度為300-600nm,拱柱狀結(jié)構(gòu)的矩形部分高度為100-250nm。
進一步的,所述金屬層的寬度為4000nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
(1)本發(fā)明將高折射率層設(shè)計成拱柱狀,大大減小了金屬層帶來的損耗,當(dāng)光垂直進入結(jié)構(gòu)時,光場被很好的限制在了中間的低折射率空氣層,不僅可實現(xiàn)優(yōu)秀的模式限制能力,而且具有低損耗較長傳輸距離的特性;(2)本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單設(shè)計,材料獲取容易,制備易實現(xiàn)。
附圖說明
圖1為實施例低損耗的拱柱芯微納波導(dǎo)結(jié)構(gòu)xy截面示意圖;
圖2為實施例λ=1550nm時,波導(dǎo)寬度與模式面積變化關(guān)系圖;
圖3為實施例λ=1550nm時,波導(dǎo)寬度與傳輸距離變化關(guān)系圖;
圖4為實施例λ=1550nm時,波導(dǎo)寬度與品質(zhì)因數(shù)變化關(guān)系圖。
附圖標(biāo)記:1-襯底;2-高折射率層;3-支撐層;4-固定層;5-金屬層。
具體實施方式
為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效通俗易懂,下面結(jié)合具體實施方式,進一步闡述本發(fā)明。
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