[發明專利]一種低損耗的拱柱芯微納波導有效
| 申請號： | 202011599413.8 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112526674B | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 許吉;周天諾;楊昕澤;程慧超;郭曄翎;謝雨欣;劉寧;陸云清 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210003 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損耗 拱柱芯微納 波導 | ||
【權利要求書】：
1.一種低損耗的拱柱芯微納波導，其特征在于，包括襯底；所述襯底的頂部兩側設置有支撐層；所述支撐層的頂部設置有金屬層；兩側支撐層之間設置有高折射率層；所述高折射率層為拱柱狀結構；所述高折射率層周圍的空氣構成低折射率區域；
所述金屬層的材料為Ag；所述支撐層的材料為ZnO；所述高折射率層的材料為Si；所述襯底的材料為SiO2；
所述支撐層和金屬層之間還設置有固定層；
所述固定層的材料為Si3N4。
2.根據權利要求1所述的一種低損耗的拱柱芯微納波導，其特征在于，所述高折射率層的頂部和固定層之間的間隙為50nm。
3.根據權利要求1所述的一種低損耗的拱柱芯微納波導，其特征在于，所述高折射率的折射率為3.478。
4.根據權利要求1所述的一種低損耗的拱柱芯微納波導，其特征在于，所述拱柱狀結構的寬度為300-600nm，拱柱狀的矩形部分高度為100-250nm。
5.根據權利要求1所述的一種低損耗的拱柱芯微納波導，其特征在于，所述金屬層寬度為4000nm。
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