[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 202011596513.5
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN113314393A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 中谷公彥;出貝求
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

1.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

(a)向在表面露出第1基底和第2基底的襯底供給改性氣體，從而使所述第1基底的表面改性的工序；

(b)向進行了(a)之后的所述襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在所述第2基底的表面上形成第1膜的工序；

(c)在進行了(b)之后，向在所述第1基底的表面上形成所述第1膜后的所述襯底供給含氟氣體，從而對在所述第1基底的表面上形成的所述第1膜進行蝕刻而使所述第1基底的表面露出，使所述第1基底的表面再次改性的工序；和

(d)向進行了(c)之后的所述襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在形成于所述第2基底的表面上的所述第1膜上形成第2膜的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，在相同的處理條件下進行所述第1膜的蝕刻和所述第1基底的表面的再次改性。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，在不對所述第1基底的表面進行蝕刻的處理條件下進行所述第1膜的蝕刻和所述第1基底的表面的再次改性。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，使所述第1基底的表面以氟封端的方式改性。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性氣體包含含氟氣體。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述第1基底的表面以氟封端的方式改性。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性氣體包含含硅氣體及含氟氣體。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，(a)具有下述工序：

(a1)向所述襯底供給所述含硅氣體，從而使所述含硅氣體中含有的硅吸附于所述第1基底的表面的工序；和

(a2)向所述襯底供給所述含氟氣體，從而使所述含氟氣體與吸附于所述第1基底的表面的硅反應，使所述襯底的表面以氟封端的方式改性的工序。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性氣體包含含烴基氣體。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性氣體包含含烴基及氨基的氣體。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述第1基底的表面以用烴基封端的方式改性。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第1基底包含含氧膜，所述第2基底包含非含氧膜。

13.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第1基底包含氧化膜，所述第2基底包含氮化膜。

14.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第1基底包含含有硅及氧的膜，所述第2基底包含含有硅及氮的膜。

15.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在非等離子體的氣氛下進行(a)、(b)、(c)及(d)。

16.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，使所述第1基底的表面以氟封端的方式改性，

所述制造方法還具有：(e)通過使與氟反應的物質與在所述第2基底的表面上形成所述第1膜和所述第2膜后的所述襯底的表面接觸，從而使在所述第1基底的表面形成的氟封端消失的工序。

17.根據權利要求16所述的半導體器件的制造方法，其中，所述與氟反應的物質包含水分。