[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 202011596513.5
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN113314393A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 中谷公彥;出貝求
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。提供能夠提高選擇生長中的生產率的技術。半導體器件的制造方中，進行下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的襯底供給改性氣體，從而使第1基底的表面改性的工序；(b)向進行了(a)之后的襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在第2基底的表面上形成第1膜的工序；(c)在進行了(b)之后，向在第1基底的表面上形成第1膜后的襯底供給含氟氣體，從而對在第1基底的表面上形成的第1膜進行蝕刻而使第1基底的表面露出，使第1基底的表面再次改性的工序；和(d)向進行了(c)之后的襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在形成于第2基底的表面上的第1膜上形成第2膜的工序。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。

背景技術

作為半導體器件的制造工序的一工序，存在對在襯底的表面露出的多種基底之中、選擇性地在特定的基底的表面上生長并形成膜的處理(以下，也將該處理稱為選擇生長或選擇成膜)的情況(例如參見專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-243193號公報

發明內容

發明要解決的課題

在選擇生長中，有時在選擇性地在特定的基底的表面上使膜生長前，進行使不希望使膜生長的基底的表面改性以抑制膜的生長的處理。

但是，在該情況下，若使選擇生長持續進行規定時間，則存在發生選擇失效而膜在不希望使膜生長的基底的表面上生長的情況。在發生了選擇失效的情況下，需要對上述的膜進行蝕刻，使得不希望使膜生長的基底的表面露出，之后再次使不希望使膜生長的基底的表面改性。作為結果，存在處理時間增長、吞吐量下降，從而生產率低下的情況。

本發明目的在于提供能夠提高選擇生長中的生產率的技術。

用于解決課題的手段

本發明的一方案提供進行下述工序的技術：

(a)向在表面露出第1基底和第2基底的襯底供給改性氣體，從而使所述第1基底的表面改性的工序；

(b)向進行了(a)之后的所述襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在所述第2基底的表面上形成第1膜的工序；

(c)在進行了(b)之后，向在所述第1基底的表面上形成所述第1膜后的所述襯底供給含氟氣體，從而對在所述第1基底的表面上形成的所述第1膜進行蝕刻而使所述第1基底的表面露出，使所述第1基底的表面再次改性的工序；和

(d)向進行了(c)之后的所述襯底供給成膜氣體，從而選擇性地在形成于所述第2基底的表面上的所述第1膜上形成第2膜的工序。

發明效果

根據本發明，能夠提供能提高選擇生長中的生產率的技術。

附圖說明

圖1是本發明的一個方式中優選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，是將處理爐202部分以縱剖視圖示出的圖。

圖2是本發明的一個方式中優選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，是將處理爐202部分以圖1的A-A線剖視圖示出的圖。

圖3是本發明的一個方式中優選使用的襯底處理裝置的控制器121的概略構成圖，是將控制器121的控制系統以框圖示出的圖。

圖4是示出本發明的一個方式中的選擇生長的處理時序的圖。