[發明專利]一種吲哚[3,2,1-kl]吩噻嗪5,5-二氧化物衍生物及其應用和電子器件

在審

• 申請號: 202011595867.8
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN114685533A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 朱向東;袁曉冬;陳華
• 申請（專利權）人: 維思普新材料（蘇州）有限公司
• 主分類號: C07D513/06
• 分類號: C07D513/06;C09K11/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 蘇州慧通知識產權代理事務所(普通合伙) 32239
• 代理人: 丁秀華

1.一種吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，其由下述通式(1)表示：

其中，R₁、R₂和R₃各自獨立地選自具有6至30個碳原子的芳香族烴基，或R₁、R₂和R₃各自獨立地選自具有5至30個碳原子的芳香族雜環基中的一個或多個，或R₁、R₂和R₃各自獨立地選自具有6至30個碳原子的芳香族烴基或具有5至30個碳原子的芳香族雜環基中的一個或多個。

2.如權利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃中的至少一個選自氰基或鹵素。

3.如權利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃中的至少一個選自三苯基硅烷基或四苯基硅烷基。

4.如權利要求1所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述R₁、R₂和R₃各自獨立地選自以下通式Ar-1至Ar-10中的任一種：

其中，波浪線表示與吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物母核鍵合的鍵。

5.如權利要求1至4中任一項所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，其特征在于，所述吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物選自以下通式1-1至1-14中的任一種：

6.權利要求1至5中任一項所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物，作為熱激活延遲熒光材料或在構建熱激活延遲熒光材料骨架中的應用。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物在電子器件中作為發光材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入材料或空穴阻擋材料的應用。

8.一種電子器件，其特征在于，其包括：第一電極、與所述第一電極對置而具備的第二電極、以及夾在所述第一電極與所述第二電極之間的至少一個有機層，所述有機層包含權利要求1～5中任一項所述的吲哚[3，2，1-k1]吩噻嗪5，5-二氧化物衍生物。

9.如權利要求8所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件為有機電致發光器件、有機場效應晶體管、有機太陽能電池或鈣鈦礦太陽能電池。

10.如權利要求8所述的電子器件，其特征在于，所述有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、光活性層、空穴阻擋層、電子傳輸層或電子注入層中的一層或多層。