[發(fā)明專利]一種四(二甲氨基)鉿的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011594417.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112759606A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周黎旸;陳剛;張學(xué)良;李軍;徐琴琪;樊有輝;陶容;周井森;寧海水 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江博瑞電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07F7/00 | 分類號(hào): | C07F7/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 324004 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 二甲 氨基 制備 方法 | ||
本發(fā)明化工領(lǐng)域,具體關(guān)于一種四(二甲氨基)鉿的制備方法;本發(fā)明是在有機(jī)溶劑中用二甲基胺和四氯化鉿在正丁基鋰提供的堿性環(huán)境下,由一種冠醚基雙金屬化物催化發(fā)生脫酸反應(yīng),合成了四(二甲氨基)鉿,本發(fā)明制備方法簡單,原材料利用率高,反應(yīng)時(shí)間短,產(chǎn)物收率高,純度高,能夠滿足銅屏蔽應(yīng)用中氮化鉿膜形成以及HKMG電極制成中對(duì)四(二甲氨基)鉿化合物的使用需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明化工領(lǐng)域,尤其是一種四(二甲氨基)鉿的制備方法。
背景技術(shù)
四(二甲氨基)鉿主要用于28nm以下制成,主要應(yīng)用于銅屏蔽應(yīng)用中氮化鉿膜形成以及HKMG電極制成中。國內(nèi)外主要用戶在IDM及HKMG生產(chǎn)商如美國Intel、韓國三星、臺(tái)積電(TSMC)、中芯國際、Micron、Hynix等企業(yè)。
CN109564873A提供一種能夠?qū)Ψ磻?yīng)部穩(wěn)定地供給原料且能夠長期使用的HfN膜的制造方法及HfN膜。HfN膜的制造方法使用的成膜裝置具備:經(jīng)由配管供給被氣化器氣化了的原料氣體的同時(shí)、將該原料氣體噴射至與噴嘴表面對(duì)向配置的被成膜基板的噴氣嘴,所述噴氣嘴由以所述配管的導(dǎo)入口為中心擴(kuò)展的外壁、從該外壁的擴(kuò)展端部升起的周壁、以及覆蓋該周壁的端部的噴嘴表面所構(gòu)成,其中,按照將反應(yīng)氣體直接供給到反應(yīng)腔室的方式設(shè)置氣體供給口,在基座上搭載晶片,原料氣體TEMAH的流量為0.2CCM,在反應(yīng)腔室的壓力為4Torr下,基座的溫度為250℃以上且270℃以下的范圍,反應(yīng)氣體NH3的流量為9.0CCM以上且15.0CCM以下的范圍。
CN106646703B提供一種新型銀引入氮化鉿膜高紅外反射耐久材料,涉及紅外反射膜材料領(lǐng)域,該材料是由HfN和Ag組成的HfN-Agx膜,該HfN-Agx膜具有HfN包含Ag的固溶體結(jié)構(gòu),Ag的含量為0.8-3.8at.%,其制備方法為:選取硅片或玻璃基底作為襯底,將純Hf靶和Ag靶放入磁控濺射室,抽真空,設(shè)置磁控濺射參數(shù),通入N2氣和Ar氣,在基底上沉積HfN-Agx膜;該材料不但具有良好的紅外反射性,還具有優(yōu)異的耐久性,有望在高速固液粒子撞擊、高溫以及腐蝕液體氣體存在的嚴(yán)苛環(huán)境下作為高紅外反射耐久膜使用,也可應(yīng)用在光學(xué)反射器件表面。
CN100424221C提供一種利用離子束外延(IBE)生長設(shè)備制備氮化鉿(HfN)薄膜材料的方法。在具有質(zhì)量分離功能與荷能離子沉積特點(diǎn)的雙離子束外延生長設(shè)備上,選用純度要求不高的氯化鉿(HfCl4)固體粉末和氮?dú)?N2)分別作為產(chǎn)生同位素純低能金屬鉿離子(Hf+)束和氮離子(N+)束的原材料,通過準(zhǔn)確控制參與生長的兩種同位素純低能離子的交替沉積束流劑量與配比、離子能量、離子束斑形狀及生長溫度,在超高真空生長室內(nèi),實(shí)現(xiàn)了氮化鉿(HfN)薄膜的低成本高純、正化學(xué)配比的優(yōu)質(zhì)生長與低溫外延。該發(fā)明的生長工藝便于調(diào)控和優(yōu)化,可制備得到具有原子尺度光滑平整的高結(jié)晶質(zhì)量氮化鉿(HfN)薄膜,是一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的制備應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域氮化鉿(HfN)薄膜材料的方法。
目前國內(nèi)還沒有文獻(xiàn)報(bào)道該種化合物的精制方法,屬于國內(nèi)空白領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種四(二甲氨基)鉿的制備方法。
一種四(二甲氨基)鉿的制備方法,其具體方案如下:
按照質(zhì)量份數(shù),將1000-1500份的有機(jī)溶劑和60-300份的二甲基胺加入到反應(yīng)釜,用惰性氣體置換反應(yīng)釜中的空氣,然后緩慢加入80-400份的正丁基鋰和0.5-1.8份的冠醚基雙金屬化物,控制反應(yīng)釜溫度為-20-10℃,后將溫度升至30℃繼續(xù)反應(yīng)30-60分鐘,然后將100-500份的四氯化鉿緩慢的加入當(dāng)反應(yīng)釜中,控制反應(yīng)釜溫度在-20-10℃,控制在30-120min內(nèi)加入完畢,完成后升溫至30-60℃繼續(xù)反應(yīng)120-240min,完成反應(yīng)后過濾,除去有機(jī)溶劑后即可得到四(二甲氨基)鉿粗品,精制后即可得到四(二甲氨基)鉿成品。
所述的冠醚基雙金屬化物,其制備方法為:
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