[發(fā)明專利]一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011593361.3
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112540290A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐維強(qiáng);龍冬慶;吳彤彤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市芯天下技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發(fā)明公開(kāi)了一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端，發(fā)送固定寬度高電平，計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完該高電平所需要時(shí)鐘個(gè)數(shù)，如果時(shí)鐘個(gè)數(shù)在設(shè)定范圍內(nèi)，則校準(zhǔn)通過(guò)，否則改變時(shí)鐘的頻率設(shè)置參數(shù)，然后重復(fù)計(jì)數(shù)時(shí)鐘走完該高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)并重復(fù)判斷，直到時(shí)鐘走完該高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)落入設(shè)定范圍內(nèi)，即完成時(shí)鐘頻率的校準(zhǔn)；通過(guò)將傳統(tǒng)的直接測(cè)量芯片內(nèi)時(shí)鐘頻率的做法改為測(cè)量芯片內(nèi)時(shí)鐘走完一定寬度高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)，并判斷時(shí)鐘個(gè)數(shù)是否在設(shè)定范圍內(nèi)，固定寬度的高電平通過(guò)低階測(cè)試機(jī)生成，整個(gè)過(guò)程無(wú)需使用高階測(cè)試機(jī)，大大降低了測(cè)試的成本；而且整個(gè)過(guò)程只涉及時(shí)鐘個(gè)數(shù)的測(cè)量和判斷，測(cè)試程序簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端。

背景技術(shù)

在晶圓測(cè)試環(huán)節(jié)，需要對(duì)芯片里面的時(shí)鐘校準(zhǔn)后的頻率（如20兆的頻率，30兆的頻率）進(jìn)行測(cè)量，然后根據(jù)測(cè)量的頻率判斷芯片的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)是否通過(guò)。現(xiàn)有的做法一般是使用較為高階的測(cè)試機(jī)（測(cè)試機(jī)測(cè)量精度需要在芯片時(shí)鐘頻率的4倍左右，如80兆以上）來(lái)測(cè)量芯片內(nèi)時(shí)鐘校準(zhǔn)后的頻率（測(cè)試機(jī)中需要額外增加高精度時(shí)鐘測(cè)量單元），然后通過(guò)測(cè)量的頻率判斷芯片的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)是否通過(guò)，但使用較為高階的測(cè)試機(jī)的測(cè)試費(fèi)用較為高昂，而且測(cè)試程序比較復(fù)雜（現(xiàn)有的測(cè)試做法如下：設(shè)定一個(gè)時(shí)鐘頻率參考值，測(cè)量多個(gè)時(shí)鐘頻率測(cè)量值，然后根據(jù)時(shí)鐘頻率參考值和多個(gè)時(shí)鐘頻率測(cè)量值計(jì)算（通過(guò)換算查表，等）一個(gè)時(shí)鐘頻率并輸出）。

因此，現(xiàn)有的技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和終端，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中采用高階的測(cè)試機(jī)測(cè)量芯片內(nèi)時(shí)鐘校準(zhǔn)后的頻率，導(dǎo)致芯片測(cè)試費(fèi)用高，測(cè)試程序復(fù)雜的問(wèn)題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法，其中，具體包括以下步驟：

啟動(dòng)芯片時(shí)鐘頻率測(cè)試校準(zhǔn)；

接收具有一定寬度的高電平；

計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)；

判斷所述時(shí)鐘個(gè)數(shù)是否在設(shè)定范圍內(nèi)，

是則時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)通過(guò)，輸出校準(zhǔn)結(jié)果；

否則改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率設(shè)置參數(shù)，以改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率，并重復(fù)執(zhí)行計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)。

所述的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法，其中，所述具有一定寬度的高電平由低階測(cè)試機(jī)生成。

所述的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法，其中，所述計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)，具體過(guò)程如下：從芯片內(nèi)時(shí)鐘的上升沿開(kāi)始計(jì)數(shù)，直到芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平即停止計(jì)數(shù)，得出芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)。

所述的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法，其中，所述判斷所述時(shí)鐘個(gè)數(shù)是否在設(shè)定范圍內(nèi)，具體過(guò)程如下：設(shè)定第一時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值和第二時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值，判斷第一時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值≤時(shí)鐘個(gè)數(shù)≤第二時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值是否成立，是則時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)通過(guò)，輸出校準(zhǔn)結(jié)果，否則改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率設(shè)置參數(shù)，以改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率，并重復(fù)執(zhí)行計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)。

所述的時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試方法，其中，所述第一時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值第二時(shí)鐘個(gè)數(shù)參考值。

一種時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)的測(cè)試裝置，其中，包括：

啟動(dòng)模塊，啟動(dòng)芯片時(shí)鐘頻率測(cè)試校準(zhǔn)；

高電平接收模塊，接收具有一定寬度的高電平；

計(jì)數(shù)模塊，計(jì)數(shù)芯片內(nèi)時(shí)鐘走完所述高電平所需要的時(shí)鐘個(gè)數(shù)；

判斷模塊，判斷所述時(shí)鐘個(gè)數(shù)是否在設(shè)定范圍內(nèi)；

參數(shù)設(shè)置模塊，改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率設(shè)置參數(shù)，以改變芯片內(nèi)時(shí)鐘的頻率；

校準(zhǔn)結(jié)果輸出模塊，時(shí)鐘頻率校準(zhǔn)通過(guò)，輸出校準(zhǔn)結(jié)果。