[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移方法及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011593311.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN112582520B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋冬;李慶;于波;趙柯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州芯聚半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

本發(fā)明提供一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法及顯示面板，包括：S1、提供第一基板，第一基板一側(cè)的表面上設(shè)有若干微發(fā)光二極管；S2、提供第二基板，第二基板一側(cè)的表面上設(shè)置鍵合膠層；S2、涂布密封層至第一基板或者第二基板的周邊；S4、壓合第一基板和第二基板，密封層使得第一基板和第二基板之間形成密封腔，若干微發(fā)光二極管位于密封腔中，且若干微發(fā)光二極管與鍵合膠層鍵合；S5、照射激光至第一基板，以使若干微發(fā)光二極管與第一基板分離；以及S6、照射紫外線至第二基板以使鍵合膠層失去粘性，使得第一基板可自第二基板上移除，若干微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至第二基板上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于制造半導(dǎo)體器件的方法，特別關(guān)于一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法及顯示面板。

背景技術(shù)

目前，顯示器市場(chǎng)仍以液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)為主流。最近，在顯示器企業(yè)參與OLED市場(chǎng)成為熱潮的情況下，微(Micro)LED(以下，稱為“微LED”)顯示器也逐漸成為下一代顯示器。LCD與OLED顯示器的核心原材料分別為液晶(LiquidCrystal)、有機(jī)材料，而微LED顯示器是將1微米至100微米(μm)單位的LED芯片本身用作發(fā)光材料的顯示器。

現(xiàn)有的微LED顯示器的制備工藝中，重點(diǎn)在于微LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，即，如何將數(shù)千、數(shù)萬、甚至數(shù)百萬個(gè)微LED轉(zhuǎn)移到包括像素驅(qū)動(dòng)器電路陣列的驅(qū)動(dòng)背板上。

現(xiàn)有的采用紫外粘合劑將巨量微LED芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)背板上巨量轉(zhuǎn)移工藝通常包括：將微LED芯片母版上的微LED芯片與透明載板上的紫外粘合劑進(jìn)行臨時(shí)鍵合；照射激光使微LED芯片的母版與微LED芯片剝離，微LED芯片轉(zhuǎn)移到透明載板上；照射紫外光使得透明載板上的紫外粘合劑解除粘性；最后，利用轉(zhuǎn)印吸盤的多個(gè)轉(zhuǎn)印頭拾取對(duì)應(yīng)的微LED芯片轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)背板上。

上述轉(zhuǎn)移工藝中，紫外粘合劑在紫外光的照射下解除粘性，受到環(huán)境中空氣含有的水、氧的影響，其導(dǎo)致紫外粘合劑不能完全解除粘性，導(dǎo)致后續(xù)轉(zhuǎn)印吸盤的多個(gè)轉(zhuǎn)印頭的拾取異常，即，微LED芯片因與紫外粘合劑保持粘性而不能被拾取的問題。

另外，現(xiàn)有的微LED芯片與紫外粘合劑臨時(shí)鍵合時(shí)，控制微LED芯片全部插入到紫外粘合劑中，以使紫外粘合劑的上層與為微LED芯片的母版完全接觸。但該方案缺點(diǎn)在于，微LED芯片全部埋在紫外粘合劑中，微LED芯片的拾取受到紫外粘合劑層的高度限制，后續(xù)轉(zhuǎn)印吸盤的多個(gè)轉(zhuǎn)印頭的拾取操作難度增加，導(dǎo)致良率較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是，如何克服微發(fā)光二極管與紫外粘合劑之間的剝離問題，提高微發(fā)光二極管能夠被轉(zhuǎn)印吸盤上的轉(zhuǎn)印頭拾取的良率。

為解決上述問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，包括：S1、提供第一基板，所述第一基板一側(cè)的表面上設(shè)有若干微發(fā)光二極管；S2、提供第二基板，所述第二基板一側(cè)的表面上設(shè)置鍵合膠層；S2、涂布密封層至所述第一基板或者所述第二基板的周邊；S4、壓合所述第一基板和所述第二基板，所述密封層使得所述第一基板和所述第二基板之間形成密封腔，所述若干微發(fā)光二極管位于所述密封腔中，且所述若干微發(fā)光二極管與所述鍵合膠層鍵合；S5、照射激光至所述第一基板，以使所述若干微發(fā)光二極管與所述第一基板分離；以及S6、照射紫外線至所述第二基板以使所述鍵合膠層失去粘性，使得所述第一基板可自所述第二基板上移除，所述若干微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至所述第二基板上。

作為可選的技術(shù)方案，所述密封層設(shè)置于所述第一基板的周邊，且圍繞所述若干微發(fā)光二極管的外側(cè)。

作為可選的技術(shù)方案，所述第一基板一側(cè)的表面上設(shè)置犧牲層，所述若干微發(fā)光二極管設(shè)置于所述犧牲層遠(yuǎn)離所述第一基板一側(cè)的表面上；其中，所述S5中，照射激光至所述第一基板，所述犧牲層分解產(chǎn)生氣體，所述氣體填充于所述密封腔中。