[發(fā)明專(zhuān)利]微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移方法及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011593311.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112582520B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋冬;李慶;于波;趙柯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州芯聚半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

1.一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法包括：

S1、提供第一基板，所述第一基板一側(cè)的表面上設(shè)有若干微發(fā)光二極管；

S2、提供第二基板，所述第二基板一側(cè)的表面上設(shè)置鍵合膠層；

S3、涂布密封層至所述第一基板或者所述第二基板的周邊；

S4、壓合所述第一基板和所述第二基板，所述密封層使得所述第一基板和所述第二基板之間形成密封腔，所述若干微發(fā)光二極管位于所述密封腔中，且所述若干微發(fā)光二極管與所述鍵合膠層鍵合；

S5、照射激光至所述第一基板，以使所述若干微發(fā)光二極管與所述第一基板分離；以及

S6、照射紫外線至所述第二基板以使所述鍵合膠層失去粘性，使得所述第一基板可自所述第二基板上移除，所述若干微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至所述第二基板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述密封層設(shè)置于所述第一基板的周邊，且圍繞所述若干微發(fā)光二極管的外側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述密封層的膜層厚度小于所述若干微發(fā)光二極管中每一微發(fā)光二極管的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一基板一側(cè)的表面上設(shè)置犧牲層，所述若干微發(fā)光二極管設(shè)置于所述犧牲層遠(yuǎn)離所述第一基板一側(cè)的表面上；其中，所述S5中，照射激光至所述第一基板，所述犧牲層分解產(chǎn)生氣體，所述氣體填充于所述密封腔中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述密封層設(shè)置于所述第二基板的周邊，所述密封層層疊于所述鍵合膠層遠(yuǎn)離所述第二基板一側(cè)的表面上,所述密封層的膜層厚度小于所述若干微發(fā)光二極管中每一微發(fā)光二極管的厚度，其中，所述S4中，壓合所述第一基板和所述第二基板，所述密封層一側(cè)的表面粘附所述鍵合膠層，所述密封層相對(duì)的另一側(cè)的表面粘附所述第一基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述密封層設(shè)置于所述第二基板的周邊，所述密封層圍繞所述鍵合膠層的外圍設(shè)置，其中，所述密封層的膜層厚度大于所述鍵合膠層的膜層厚度，且所述密封層的膜層厚度小于所述鍵合膠層的膜層厚度和所述微發(fā)光二極管的厚度的和。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述S4中，壓合所述第一基板和所述第二基板，所述密封層一側(cè)的表面粘附所述第二基板，所述密封層相對(duì)的另一側(cè)的表面粘附所述第一基板，其中，所述密封層的材料和所述鍵合膠層的材料相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述S6中，所述若干微發(fā)光二極管中每一微發(fā)光二極管遠(yuǎn)離所述第二基板一側(cè)的表面突出于所述鍵合膠層遠(yuǎn)離所述第二基板一側(cè)的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，還包括：

S7、提供包括多個(gè)轉(zhuǎn)印頭的轉(zhuǎn)印吸盤(pán)，通過(guò)所述多個(gè)轉(zhuǎn)印頭拾取對(duì)應(yīng)的微發(fā)光二極管，以及轉(zhuǎn)移拾取的微發(fā)光二極管至驅(qū)動(dòng)陣列基板上。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為通過(guò)如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法制得。