[發明專利]基于“倒E”結構的單電路多比特移相器

有效

• 申請號: 202011592472.2
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112736379B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 劉云;劉凌云
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01P1/185
• 分類號: H01P1/185;H01Q3/36
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 熊玉瑋

1.基于“倒E”結構的單電路多比特移相器，其特征在于，包括主傳輸線和3個N比特分支電納加載單元，3個N比特分支電納加載單元等間距分布在主傳輸線的一側，3個N比特分支電納加載單元與主傳輸線呈具有對稱性的倒E結構，分布在主傳輸線首尾兩端的N比特分支電納加載單元的電路參數相同，每個N比特分支電納加載單元包含N段微帶傳輸線，每個N比特分支電納加載單元中的各段微帶線通過開關接入主傳輸線的同一位置，各N比特分支電納加載單元用于控制同一移相量的微帶傳輸線受控于同一控制信號， N為所述單電路多比特移相器的比特數，3N個開關通斷狀態的組合對應2^N種小相位線性移相狀態。

2.根據權利要求1所述基于“倒E”結構的單電路多比特移相器，其特征在于，當N為2時，每個二比特分支電納單元包含兩段微帶傳輸線，每個二比特分支電納單元中的兩端微帶傳輸線分布于主傳輸線同一側或兩側，6個開關通斷狀態的組合對應φ0、φ0+φ1、φ0+φ2和φ0+φ1+φ2四種小相位線性移相狀態，其中，φ0為基準相位。

3.根據權利要求1所述基于“倒E”結構的單電路多比特移相器，其特征在于，當N為3時，每個三比特分支電納單元包含三段微帶傳輸線，將3個三比特分支電納加載單元中受控于同一控制信號的微帶傳輸線劃分為一組微帶線，劃分后的每一組微帶線分布于主傳輸線的一側或兩側，9個開關通斷狀態的組合對應φ0、φ0+φ1、φ0+φ2、φ0+φ3、φ0+φ1+φ2、φ0+φ1+φ3、φ0+φ2+φ3、φ0+φ1+φ2+φ3八種小相位線性移相狀態，其中，φ0為基準相位。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述基于“倒E”結構的單電路多比特移相器，其特征在于，每個N比特分支電納加載單元中的各段微帶線通過PIN二極管開關或其他形式的開關接入主傳輸線的同一位置。