[發明專利]一種半導體加熱爐用PP板及其生產工藝

在審

• 申請號: 202011591244.3
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112724525A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 董倩妤;高海平
• 申請（專利權）人: 無錫市宏佳華新材料有限公司
• 主分類號: C08L23/12
• 分類號: C08L23/12;C08L81/02;C08L67/06;C08L91/06;C08L77/10;C08K13/04;C08K7/06;C08K7/14;C08K7/10;C08K13/02;C08K3/26;C08K5/09;C08K5/098
• 代理公司: 北京哌智科創知識產權代理事務所(普通合伙) 11745
• 代理人: 曾倩瑩

1.一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：按重量份數計，該半導體加熱爐用PP板的配方包括：聚丙烯300-650份、聚苯硫醚150-300份、碳酸鈣13-27份，不飽和聚酯樹脂16-30份，引發劑13-18份，丙三醇三甘油酸酯13-19份，丙三醇25-29份，硬脂酸3-8份，阻燃劑5-12份，磷酸鹽10-18份，增強纖維12-18份、硬脂酸鋇1-3份、硬脂酸鉛4-10份、陶土2-6份、羥甲基脂肪胺3-8份、甲基丙烯酸鈉6-10份、氯化石蠟為5-9份。

2.根據權利要求1所述的一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：所述增強纖維設置為碳纖維增強聚合物、玻璃纖維增強聚合物、芳綸纖維增強聚合物和玄武巖纖維增強聚合物中的一種或者多種。

3.根據權利要求1所述的一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：所述引發劑設置為異丙苯過氧化氫、叔丁基過氧化氫、過氧化二叔丁基、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲酸叔丁酯、過氧化叔戊酸叔丁基酯、過氧化二碳酸二異丙酯、過氧化二碳酸二環己酯中的一種或者多種。

4.根據權利要求1所述的一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：按重量份數計，該半導體加熱爐用PP板的配方包括：聚丙烯300份、聚苯硫醚150份、碳酸鈣13份，不飽和聚酯樹脂16份，引發劑13份，丙三醇三甘油酸酯13份，丙三醇25份，硬脂酸3份，阻燃劑5份，磷酸鹽10份，增強纖維12份、硬脂酸鋇1份、硬脂酸鉛4份、陶土2份、羥甲基脂肪胺3份、甲基丙烯酸鈉6份、氯化石蠟為5份。

5.根據權利要求1所述的一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：按重量份數計，該半導體加熱爐用PP板的配方包括：聚丙烯500份、聚苯硫醚230份、碳酸鈣22份，不飽和聚酯樹脂25份，引發劑16份，丙三醇三甘油酸酯16份，丙三醇17份，硬脂酸5份，阻燃劑8份，磷酸鹽14份，增強纖維15份、硬脂酸鋇2份、硬脂酸鉛8份、陶土4份、羥甲基脂肪胺6份、甲基丙烯酸鈉8份、氯化石蠟為7份。

6.根據權利要求1所述的一種半導體加熱爐用PP板，其特征在于：按重量份數計，該半導體加熱爐用PP板的配方包括：聚丙烯650份、聚苯硫醚300份、碳酸鈣27份，不飽和聚酯樹脂30份，引發劑18份，丙三醇三甘油酸酯19份，丙三醇29份，硬脂酸8份，阻燃劑12份，磷酸鹽18份，增強纖維18份、硬脂酸鋇3份、硬脂酸鉛10份、陶土6份、羥甲基脂肪胺8份、甲基丙烯酸鈉10份、氯化石蠟為9份。

7.一種根據權利要求1所述的半導體加熱爐用PP板的生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、備料，按照一種半導體加熱爐用PP板及其生產工藝的配方，以重量份數為準，稱量好各個物料，備用；

S2、制粒成型，將上述材料通過加熱攪拌釜進行攪拌，達到烘干和預加熱的目的，然后將烘干后的材料投料至造粒機中進行造粒，并將造粒后的塑料粒子進行篩分，并將上述塑料粒子投入擠塑機進行，制成PP板，并對其成型后的PP板進行冷卻；

S3、修整，將冷卻后的PP板根據實際的需求進行裁切，并通過打磨機對其毛邊進行打磨修整；

S4、廢料回收，將裁切和打磨下的廢料和余料通過粉碎機進行粉碎，將粉碎后的材料用于二次使用。

8.根據權利要求7所述的一種半導體加熱爐用PP板及其生產工藝，其特征在于：步驟S2中加熱攪拌釜在對材料烘干時，加熱維度為60攝氏度-80攝氏度，其攪拌轉速為60r/min。

9.根據權利要求7所述的一種半導體加熱爐用PP板及其生產工藝，其特征在于：步驟S2所述的擠塑機設置為90mm螺桿擠塑機。