[發明專利]一種混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝

在審

• 申請號: 202011590883.8
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112813472A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 楊晨;馮慶;王宇飛;楊文波;羅育光
• 申請（專利權）人: 西安賽爾電子材料科技有限公司
• 主分類號: C25D5/02
• 分類號: C25D5/02;C25D5/12;C25D7/04
• 代理公司: 嘉興中創致鴻知識產權代理事務所(普通合伙) 33384
• 代理人: 趙麗麗

本發明涉及一種電鍍方法，特別涉及一種混合集成電路用金屬?玻璃封裝管殼局部鍍金工藝。該混合集成電路用金屬?玻璃封裝管殼局部鍍金工藝包括以下工藝過程：(1)預處理，將管殼油污去除干凈，接著鹽酸活化，去除管殼表面氧化皮；(2)分別給殼體和芯柱整體鍍電鍍鎳，再分別給殼體和芯柱整體鍍一層薄金，切換掛具，僅給芯柱導電，再單獨給芯柱鍍金，將芯柱的金層鍍到所要求的厚度；(3)切換掛具，在殼體表面的薄金層上再覆蓋一層電鍍鎳。本發明的目的在于克服上述背景技術中的不足，提供一種混合集成電路用金屬?玻璃封裝管殼局部鍍金工藝。本方法操作簡單，容易控制，適合規模化生產，得到的鍍層質量穩定，外觀一致性好，且耐鹽霧性能優異。

技術領域

本發明涉及一種電鍍方法，特別涉及一種混合集成電路用金屬-玻璃封裝管 殼局部鍍金工藝。

背景技術

混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線，并 在同一基片上將分立的半導體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外 加封裝而成。金屬-玻璃封裝管殼則提供了一個特殊的密閉環境，其質量好壞決 定了整個器件的穩定性。

金屬-玻璃封裝管殼引線多、體積大，以往都采用整體鍍鎳鍍金工藝，這導 致了成本很高。對封裝工藝而言，鍍鎳主要為了防腐蝕，鍍金主要是保證引線 的鍵合強度和可焊性。因此，對混合集成電路管殼來說，在能夠滿足其使用性 能的前提下，為了最大程度上降低生產成本，往往只要求引線部分鍍鎳鍍金， 殼體只需鍍鎳無需鍍金。然而，由于鎳的電極電位相對金較負，而且目前市面 上鍍金溶液中金離子的絡合強度不高，所以鎳層非常容易在鍍金液中形成置換 金層，該置換金層結合力極差，而且被置換出來的鎳離子還會污染鍍金液，所 以研究出一種合適的局部鍍金工藝非常重要。

目前國內對于引線局部鍍金工藝的研究主要集中在三個方向，其一是通過 鍍金液添加劑來降低鎳層與金的電位差，該技術目前還不成熟，而且成本高， 還會影響鍍金液穩定性；另一方面是通過局部屏蔽來實現，此工藝復雜，耗時 長，規模化生產難；還有相關工藝是通過用退金液對置換金的褪除來達到局部 鍍金的效果，此法對退金時間、退金液參數要求極高，操作困難，而且會影響 封裝管殼鍍層的外觀。

發明內容

本發明的目的在于克服上述背景技術中的不足，提供一種混合集成電路用 金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝。本方法操作簡單，容易控制，適合規模化生 產，得到的鍍層質量穩定，外觀一致性好，且耐鹽霧性能優異。為達到上述目 的，本發明包括包括以下工藝過程：

(1)預處理，將管殼油污去除干凈，接著鹽酸活化，去除管殼表面氧化皮；

(2)分別給殼體和芯柱整體鍍電鍍鎳，再分別給殼體和芯柱整體鍍一層薄 金，切換掛具，僅給芯柱導電，再單獨給芯柱鍍金，將芯柱的金層鍍到所要求 的厚度；

(3)切換掛具，在殼體表面的薄金層上再覆蓋一層電鍍鎳。

所述步驟(2)中所述的整體電鍍薄金層厚度為0.06～0.10μm。

所述步驟(3)中給殼體表面覆蓋的電鍍鎳鍍層厚度為1.5～2.0μm。

所述步驟(1)中將管殼油污去除干凈包括先堿洗化學除油，再進一步做電 解除油。

本發明所帶來的有益效果是：

本發明中，本方法操作簡單，容易控制，適合規模化生產，得到的鍍層質 量穩定，外觀一致性好，且耐鹽霧性能優異；再給殼體和芯柱整體鍍一層電鍍 鎳，再分別給殼體和芯柱整體鍍一層薄金后，接著僅給芯柱導電，再單獨給芯 柱鍍金，將芯柱的金層鍍到所要求的厚度，這樣鍍金的工作量較少，并且成本 比較低。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步的詳述：

以下結合具體實施例對本發明的工藝和特征進行描述，所舉實例只用于解 釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。