[發明專利]一種混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝在審
| 申請號： | 202011590883.8 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112813472A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 楊晨;馮慶;王宇飛;楊文波;羅育光 | 申請（專利權）人： | 西安賽爾電子材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C25D5/02 | 分類號： | C25D5/02;C25D5/12;C25D7/04 |
| 代理公司： | 嘉興中創致鴻知識產權代理事務所(普通合伙) 33384 | 代理人： | 趙麗麗 |
| 地址： | 710018 陜西省西安市西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 混合 集成電路 金屬 玻璃封裝 管殼 局部 鍍金 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝，其特征在于包括包括以下工藝過程：
(1)預處理，將管殼油污去除干凈，接著鹽酸活化，去除管殼表面氧化皮；
(2)分別給殼體和芯柱整體鍍電鍍鎳，再分別給殼體和芯柱整體鍍一層薄金，切換掛具，僅給芯柱導電，再單獨給芯柱鍍金，將芯柱的金層鍍到所要求的厚度；
(3)切換掛具，在殼體表面的薄金層上再覆蓋一層電鍍鎳。
2.如權利要求1所述的一種混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝，其特征在于所述步驟(2)中所述的整體電鍍薄金層厚度為0.06～0.10μm。
3.如權利要求1所述的混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝，其特征在于所述步驟(3)中給殼體表面覆蓋的電鍍鎳鍍層厚度為1.5～2.0μm。
4.如權利要求1所述的混合集成電路用金屬-玻璃封裝管殼局部鍍金工藝，其特征在于所述步驟(1)中將管殼油污去除干凈包括先堿洗化學除油，再進一步做電解除油。
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