[發明專利]應用于鍍膜設備的處理方法

在審

• 申請號: 202011590653.1
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112813412A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 戴虹;黃志強;王祥;袁剛;湯亮才;劉鋒
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發明提供了一種應用于鍍膜設備的處理方法，包括：通過沉積控制裝置對沉積腔體內裝載有基板的載具進行沉積處理以使形成的鍍膜基板的兩個待鍍表面均形成介質膜，以及通過傳輸裝置將待清洗載具輸送至管式清洗腔體后，通過清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。本發明通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，無需拆裝所述待清洗載具，從而進一步提高了生產效率。

技術領域

本發明涉及晶硅太陽能電池制造技術領域，尤其涉及應用于鍍膜設備的處理方法。

背景技術

太陽能電池制造工藝中，利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)法在晶硅表面形成減反射膜，能夠通過減少光線的反射率來提高光能利用率，同時減反射膜還能夠起到鈍化效果并為電池提供長期的保護，從而有利于光電轉化效率的提升。因此，高質量的氮化硅薄膜對提高晶硅太陽能電池的性能和質量都起到了至關重要的作用。

現有技術中通常將能夠放置幾十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中，通過在石英管內激發等離子體進行PECVD沉積。由于石墨舟絕大部分表面也暴露在反應環境中，減反射膜沉積不僅在硅片表面進行，也在石墨舟的暴露表面進行，石墨舟表面的沉積層容易對硅片表面造成污染。因此，需要定期對石墨舟進行維護。

現有技術中通常采用化學法對PECVD工藝的相關器件進行清洗維護。例如公開號為CN105742159A的中國專利申請公開了通過混酸和純水清除光伏相關器件，例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而這種清洗方法屬于離線清洗，需要將石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中，涉及到遠程運輸、石英管的拆裝過程和繁雜的清洗工藝，不利于生產效率的提高。

因此，有必要開發一種新型的應用于鍍膜設備的處理方法以解決現有技術存在的上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種應用于鍍膜設備的處理方法，以對載具進行在線清洗，并有利于提高生產效率。

為實現上述目的，本發明的所述鍍膜設備包括傳輸裝置和設置有沉積控制裝置的沉積腔體，所述處理方法包括：

通過所述沉積控制裝置對所述沉積腔體內裝載有基板的載具進行沉積處理后通過所述傳輸裝置運出所述沉積腔體后卸載經所述沉積處理得到的鍍膜基板，得到待清洗載具；

其中，所述鍍膜設備還包括設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體：

通過所述沉積處理在所述基板相對的兩個待鍍表面形成組成相同或不同的介質膜；

所述處理方法還包括通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。

本發明的所述處理方法的有益效果在于：通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，無需拆裝所述待清洗載具，從而進一步提高了生產效率。

優選的，所述管式清洗腔體的數目至少為1，所述管式清洗腔體的數目不超過所述管式沉積腔體的數目。其有益效果在于：有利于調節生產節拍。

進一步優選的，所述管式清洗腔體的數目與所述管式沉積腔體的數目比例為1：1-1：11。

優選的，通過所述清洗控制裝置控制所述氣相清洗處理的時長不超過3小時。其有益效果在于：有利于提高生產效率。

優選的，所述氣相清洗處理包括化學氣相清洗處理和等離子體化學氣相清洗處理的任意一種。

進一步優選的，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為200-600攝氏度，壓力為0.1-67千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，以進行所述化學氣相清洗處理。其有益效果在于：保證清洗效果。