[發明專利]應用于鍍膜設備的處理方法

在審

• 申請號: 202011590653.1
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112813412A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 戴虹;黃志強;王祥;袁剛;湯亮才;劉鋒
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種應用于鍍膜設備的處理方法，所述鍍膜設備包括傳輸裝置和設置有沉積控制裝置的沉積腔體，所述處理方法包括：

通過所述沉積控制裝置對所述沉積腔體內裝載有基板的載具進行沉積處理后，通過所述傳輸裝置運出所述沉積腔體后卸載經所述沉積處理得到的鍍膜基板，得到待清洗載具，其特征在于，所述鍍膜設備還包括設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體：

通過所述沉積處理在所述基板相對的兩個待鍍表面形成組成相同或不同的介質膜；

所述處理方法還包括通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述管式清洗腔體的數目至少為1，所述管式清洗腔體的數目不超過所述管式沉積腔體的數目。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述管式清洗腔體的數目與所述管式沉積腔體的數目比例為1：1-1：11。

4.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述氣相清洗處理的時長不超過3小時。

5.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述氣相清洗處理包括化學氣相清洗處理和等離子體化學氣相清洗處理的任意一種。

6.根據權利要求5所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為200-600攝氏度，壓力為0.1-67千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，以進行所述化學氣相清洗處理。

7.根據權利要求6所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體為HF、F₂、Cl₂和ClF₃中的至少一種。

8.根據權利要求7所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體還包括載氣，所述載氣為氮氣、氬氣和氧氣中的至少一種。

9.根據權利要求5所述的處理方法，其特征在于，所述管式清洗腔體還設置有等離子體發生裝置，通過所述管式清洗腔體進行所述化學氣相清洗處理、所述等離子體化學氣相清洗處理和所述沉積處理中的任意一種。

10.根據權利要求9所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為300-600攝氏度，壓力為0.1-0.6千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，通過所述等離子體發生裝置控制射頻功率為10-40千瓦，以進行所述等離子體化學氣相清洗處理。

11.根據權利要求10所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體為NF₃、SF₆、CF₄、CHF₃和C₂F₆中的至少一種。

12.根據權利要求11所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體還包括載氣，所述載氣為氮氣、氬氣和氧氣中的至少一種。

13.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，還包括監控裝置，通過所述監控裝置監測所述載具的運行次數或所述載具表面污染物的沉積情況，以判斷是否通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體內。