[發明專利]非易失型芯片的低電壓報警方法、裝置、存儲介質和終端在審

申請號：	202011589855.4	申請日：	2020-12-29
公開（公告）號：	CN112542204A	公開（公告）日：	2021-03-23
發明（設計）人：	黎永健;劉佳慶;蔣雙泉	申請（專利權）人：	深圳市芯天下技術有限公司
主分類號：	G11C29/50	分類號：	G11C29/50
代理公司：	佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377	代理人：	陳志超;唐敏珊
地址：	518000 廣東省深圳市龍崗區橫***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	非易失型芯片電壓報警方法裝置存儲介質終端
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【說明書】：

本發明公開了一種非易失型芯片的低電壓報警方法、裝置、存儲介質和終端，當檢測到一個較高的電壓點時使非易失型芯片退出編程和擦除操作，當檢測到一個更低的電壓點時，即配置寄存器和狀態寄存器在電壓出現不穩定甚至掉電時，只要在非易失型芯片重新上電后，從非易失型芯片內讀取與非易失型芯片上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容，并將內容重新配置到配置寄存器和狀態寄存器內，這樣可以使得非易失型芯片再次執行操作時，配置寄存器和狀態寄存器內的數據不會出錯，保證非易失型芯片操作有效性；通過設置兩個電壓點的低電壓檢測，發生低電壓報警時根據電壓點的差別，分別作出不同行為，來保證非易失型芯片可靠性。

技術領域

本發明涉及Nor Flash技術領域，尤其涉及的是一種非易失型芯片的低電壓報警方法、裝置、存儲介質和終端。

背景技術

Nor Flash芯片的編程和擦除操作所需要的時間比較長，如果此時外部電壓不穩定甚至直接斷電，外部的電容或者是芯片內部的電容不足以支撐整個操作流程，那么NorFlash芯片在電壓不穩定的情況下需要保證存儲單元數據不被干擾和丟失。

一般情況下，會通過低電壓檢測電路檢測到低電壓時，直接控制Nor Flash退出編程或者擦除操作。但是，當電壓激烈抖動、在編程和擦除時瞬態電流較大的話，會導致NorFlash內部的配置寄存器和狀態寄存器發生改變（發生出錯），如果只是單純退出編程和擦除操作，Nor Flash內部的配置寄存器和狀態寄存器在出錯的情況下會導致Nor Flash再次正常上電后執行的操作失效。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種非易失型芯片的低電壓報警方法、裝置、存儲介質和終端，旨在解決現有的Nor Flash在外部電壓異常時只是單純退出當前操作，容易出現因配置寄存器和狀態寄存器出錯導致后續操作失效的問題。

本發明的技術方案如下：一種非易失型芯片的低電壓報警方法，其中，具體包括以下步驟：

在Nor Flash處于算法階段時，實時獲取執行當前操作Nor Flash內的電壓；

判斷當前所述電壓是否等于或小于第一預設值，否則Nor Flash不退出當前操作，

是，使Nor Flash退出當前操作；

判斷當前所述電壓是否等于或小于第二預設值，否則不改變Nor Flash當前狀態，

是，當Nor Flash重新正常上電時，獲取與Nor Flash上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容，并將所述內容重新配置到寄存器內。

所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其中，所述算法階段為Nor Flash執行編程操作或者擦除操作。

所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其中，所述第二預設值小于第一預設值。

所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其中，所述寄存器包括配置寄存器和狀態寄存器。