[發明專利]非易失型芯片的低電壓報警方法、裝置、存儲介質和終端

在審

• 申請號: 202011589855.4
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112542204A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 黎永健;劉佳慶;蔣雙泉
• 申請（專利權）人: 深圳市芯天下技術有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

在Nor Flash處于算法階段時，實時獲取執行當前操作Nor Flash內的電壓；

判斷當前所述電壓是否等于或小于第一預設值，否則Nor Flash不退出當前操作，

是，使Nor Flash退出當前操作；

判斷當前所述電壓是否等于或小于第二預設值，否則不改變Nor Flash當前狀態，

是，當Nor Flash重新正常上電時，獲取與Nor Flash上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容，并將所述內容重新配置到寄存器內。

2.根據權利要求1所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，所述算法階段為Nor Flash執行編程操作或者擦除操作。

3.根據權利要求1所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，所述第二預設值小于第一預設值。

4.根據權利要求1所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，所述寄存器包括配置寄存器和狀態寄存器。

5.根據權利要求1所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，所述在NorFlash處于算法階段時，實時獲取執行當前操作Nor Flash內的電壓，具體包括以下過程：在Nor Flash處于算法階段時，存儲在寄存器內的數據同時更新存儲在Nor Flash內，實時獲取執行當前操作Nor Flash內的電壓。

6.根據權利要求1所述的非易失型芯片的低電壓報警方法，其特征在于，所述獲取與Nor Flash上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容，通過讀取Nor Flash內存儲的與Nor Flash上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容實現。

7.一種非易失型芯片的低電壓報警裝置，其特征在于，包括：

電壓獲取模塊，在Nor Flash處于算法階段時，實時獲取執行當前操作Nor Flash內的電壓；

第一判斷模塊，判斷當前所述電壓是否等于或小于第一預設值；

退出模塊，使Nor Flash退出當前操作；

第二判斷模塊，判斷當前所述電壓是否等于或小于第二預設值；

寄存器重置模塊，當Nor Flash再次重新正常上電時，獲取與Nor Flash上一次退出操作前對應寄存器內存儲的內容一致的內容，并將所述內容重新配置到寄存器內。

8.根據權利要求7所述的非易失型芯片的低電壓報警裝置，其特征在于，在Nor Flash內設置有用于實時更新存儲與存儲在配置寄存器和狀態寄存器內的數據一致的數據的存儲空間。

9.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質中存儲有計算機程序，當所述計算機程序在計算機上運行時，使得所述計算機執行權利要求1至6任一項所述的方法。

10.一種終端，其特征在于，包括處理器和存儲器，所述存儲器中存儲有計算機程序，所述處理器通過調用所述存儲器中存儲的所述計算機程序，用于執行權利要求1至6任一項所述的方法。