[發明專利]一種SRAM糾錯方法、系統及終端在審
| 申請號： | 202011589480.1 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN114694736A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 許霞;董業民;楊文偉 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/42 | 分類號： | G11C29/42;G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 徐秋平 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sram 糾錯 方法 系統 終端 | ||
1.一種SRAM糾錯方法，其特征在于：包括以下步驟：
獲取SRAM在一個刷新周期中的比特單元的ECC數值；
當所述ECC數值大于預設閾值時，提高所述SRAM的刷新頻率；當所述ECC數值小于所述預設閾值時，降低所述SRAM的刷新頻率。
2.根據權利要求1所述的SRAM糾錯方法，其特征在于：所述ECC數值為比特單元的ECC個數。
3.根據權利要求1所述的SRAM糾錯方法，其特征在于：所述ECC數值為比特單元的ECC比例。
4.根據權利要求1所述的SRAM糾錯方法，其特征在于：所述ECC數值為ECC次數。
5.一種SRAM糾錯系統，其特征在于：包括獲取模塊和糾錯模塊；
所述獲取模塊用于獲取SRAM在一個刷新周期中的比特單元的ECC數值；
所述糾錯模塊用于當所述ECC數值大于預設閾值時，提高所述SRAM的刷新頻率；當所述ECC數值小于所述預設閾值時，降低所述SRAM的刷新頻率。
6.根據權利要求5所述的SRAM糾錯系統，其特征在于：所述ECC數值為比特單元的ECC個數。
7.根據權利要求5所述的SRAM糾錯系統，其特征在于：所述ECC數值為比特單元的ECC比例。
8.根據權利要求5所述的SRAM糾錯系統，其特征在于：所述ECC數值為ECC次數。
9.一種SRAM糾錯終端，其特征在于：包括處理器及存儲器；
所述存儲器用于存儲計算機程序；
所述處理器用于執行所述存儲器存儲的計算機程序，以使所述終端執行權利要求1至3中任一項所述的SRAM糾錯方法。
10.一種SRAM糾錯系統，其特征在于：包括權利要求9所述的SRAM糾錯終端和ECC計數器；
所述ECC計數器用于采集SRAM在一個刷新周期中的比特單元的ECC數值，并阿送至所述SRAM糾錯終端。
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