[發明專利]封裝結構及其制造方法在審
| 申請號: | 202011586893.4 | 申請日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN113130419A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 張勇舜;李德章 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種封裝結構,包含:
布線結構,其包括至少一個電介質層和與所述電介質層接觸的至少一個電路層;
至少一個電子裝置,其電連接到所述布線結構;
加強結構,其設置在所述布線結構的表面上,并且包括熱固性材料;
多個導電通孔,其設置在所述加強結構中;以及
封裝體,其覆蓋所述至少一個電子裝置。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,進一步包含設置在所述至少一個電子裝置與所述加強結構之間的底部填充物。
3.根據權利要求2所述的封裝結構,其中所述底部填充物直接接觸所述加強結構。
4.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述加強結構直接接觸所述布線結構。
5.根據權利要求1所述的封裝結構,其中從俯視圖看,所述加強結構的大小基本上覆蓋所述布線結構。
6.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述加強結構的側表面基本上與所述布線結構的側表面共面。
7.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述布線結構具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面,所述加強結構設置在所述布線結構的所述第一表面上,并且所述至少一個電子裝置通過所述導電通孔電連接到所述布線結構。
8.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述布線結構具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面,所述至少一個電子裝置結合到并且電連接到所述布線結構的所述第一表面,并且所述加強結構設置在所述布線結構的所述第二表面上。
9.根據權利要求1所述的封裝結構,其中所述加強結構包括主要材料和至少一個嵌入元件,所述至少一個嵌入元件嵌入在所述主要材料中。
10.根據權利要求9所述的封裝結構,其中所述主要材料包括模制化合物。
11.根據權利要求9所述的封裝結構,其中所述主要材料的材料與所述封裝體的材料相同。
12.根據權利要求9所述的封裝結構,其中所述至少一個嵌入元件是無源部件。
13.根據權利要求9所述的封裝結構,其中所述至少一個嵌入元件電連接到所述布線結構。
14.根據權利要求9所述的封裝結構,其中所述至少一個電子裝置包括并排設置的第一電子裝置和第二電子裝置,并且所述第一電子裝置和所述第二電子裝置電連接到所述至少一個嵌入元件。
15.根據權利要求1所述的封裝結構,進一步包含多個突出焊盤,其設置在所述布線結構的所述表面上并且從所述表面突出,所述加強結構覆蓋所述突出焊盤的外圍側表面。
16.一種制造方法,包含:
(a)提供布線結構,其中所述布線結構包括至少一個電介質層和與所述電介質層接觸的至少一個電路層;
(b)在所述布線結構上形成加強結構,其中所述加強結構包括設置在其中的多個導電通孔;以及
(c)將至少一個電子裝置電連接到所述加強結構的所述導電通孔。
17.根據權利要求16所述的制造方法,其中在(b)中,所述加強結構是模制化合物,并且通過模制工藝形成。
18.根據權利要求16所述的制造方法,其中(b)包括:
(b1)在所述布線結構上形成多個柱;
(b2)在所述布線結構上形成主要材料以覆蓋所述柱,其中每個所述柱的一端從所述主要材料暴露以形成所述導電通孔。
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