[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制造方法及電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011586030.7 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN112687557A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙強;桂珞;韓鳳芹;石丹丹;王邦旭 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/482;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11614 | 代理人: | 劉亭 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 電子 裝置 | ||
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件制造方法及電子裝置,包括:提供器件襯底,器件襯底包括分立的第一部件和第二部件以及貫穿第一部件的多個第一釋放孔;提供第一載體襯底,在第一載體襯底上形成至少用于與第一部件連接的金屬布線層;在第一載體襯底上形成第二載體襯底;去除第一載體襯底;將第二載體襯底鍵合到器件襯底上;解鍵合去除第二載體襯底。通過在第一載體襯底上完成金屬布線層工藝,最后通過解鍵合工藝將金屬布線層轉(zhuǎn)移到器件襯底上,可以避免直接在器件襯底上實施布線工藝而帶來的工藝難度;通過解鍵合工藝去除第二載體襯底,避免了去除第二載體襯底時對器件襯底的內(nèi)空腔所造成的影響,保證了器件的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品的模組組裝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法及電子裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的一些特殊應(yīng)用的半導(dǎo)體器件的制作過程中,需要在可動部件上組裝有源元件,這種情況下,通常需要在去除可動部件與固定部件的犧牲材料之前先進行金屬布線工藝,待犧牲材料被釋放后,可以利用所布設(shè)的金屬線實現(xiàn)固定部件和可動部件之間的電性連接等。
但在可動部件上進行金屬布線時,當(dāng)存在較大尺寸的金屬結(jié)構(gòu)(例如焊盤pad)時,該金屬結(jié)構(gòu)會侵占可動部件上釋放孔的分布空間,對犧牲材料的釋放造成困難。因此,如何簡化金屬布線工藝并降低布線成本,已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。
公開于本發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明的一般背景技術(shù)的理解,而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的提供一種半導(dǎo)體器件制造方法及電子裝置,至少解決在器件襯底上進行金屬布線的工藝難度的技術(shù)問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件制造方法,包括:
提供器件襯底,所述器件襯底包括分立的第一部件和第二部件以及貫穿所述第一部件的多個第一釋放孔;
提供第一載體襯底,在所述第一載體襯底上形成至少用于與所述第一部件連接的金屬布線層;
在所述第一載體襯底上形成第二載體襯底;
去除所述第一載體襯底;
將所述第二載體襯底鍵合到所述器件襯底上;
解鍵合去除所述第二載體襯底。
本發(fā)明還提供一種電子裝置,包括以上所述的半導(dǎo)體器件制造方法所形成的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的有益效果在于:
通過在第一載體襯底上完成金屬布線層工藝,并通過鍵合工藝將金屬布線層轉(zhuǎn)移到第二載體襯底上,最后通過解鍵合工藝將金屬布線層轉(zhuǎn)移到器件襯底上,因此可以避免直接在器件襯底上實施布線工藝而帶來的工藝難度,降低成本,并通過解鍵合工藝去除第二載體襯底,避免了去除第二載體襯底時對器件襯底的內(nèi)空腔所造成的影響,保證了器件的性能。
進一步的,在臨時鍵合膜與永久鍵合膜之間形成刻蝕停止層和犧牲層,避免了臨時鍵合膜和永久鍵合膜直接接觸導(dǎo)致的難以解鍵合的技術(shù)問題。
進一步的,通過在第二載體襯底上制作永久鍵合膜,并通過鍵合工藝將永久鍵合膜轉(zhuǎn)移到器件襯底的第一部件上,以對第一部件的至少部分釋放孔進行封孔,由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜時導(dǎo)致第一部件鎖死以及封孔材料或顯影液進入半導(dǎo)體器件內(nèi)部的風(fēng)險。
進一步的,通過在第二載體襯底上形成金屬布線層和永久鍵合膜,并通過鍵合工藝將金屬布線層和永久鍵合膜轉(zhuǎn)移到第一部件上,因此可以在第一部件上同時實現(xiàn)金屬布線和釋放孔封孔操作。
進一步的,在兩襯底鍵合之前先對器件襯底上的大部分犧牲材料進行釋放,因此避免了在器件襯底上釋放犧牲材料時需要對金屬布線層進行保護所帶來的工藝難度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





