[發明專利]半導體器件制造方法及電子裝置

在審

• 申請號: 202011586030.7
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112687557A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 趙強;桂珞;韓鳳芹;石丹丹;王邦旭
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48;H01L23/482;H01L23/485
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 劉亭

1.一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括：

提供器件襯底，所述器件襯底包括分立的第一部件和第二部件以及貫穿所述第一部件的多個第一釋放孔；

提供第一載體襯底，在所述第一載體襯底上形成至少用于與所述第一部件連接的金屬布線層；

在所述第一載體襯底上形成第二載體襯底；

去除所述第一載體襯底；

將所述第二載體襯底鍵合到所述器件襯底上；

解鍵合去除所述第二載體襯底。

2.根據權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述金屬布線層還用于與所述第二部件連接。

3.根據權利要求2所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述金屬布線層包括連接所述第二部件與所述第一部件的懸浮連接線。

4.根據權利要求2所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述第二部件包括承載襯底和位于所述承載襯底上的支撐部；所述金屬布線層位于所述支撐部上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述第一載體襯底包括第一區、第二區和第三區，第一區的金屬布線層用于與所述第一部件連接，第二區的金屬布線層用于與所述第二部件連接，第三區的金屬布線層連接第一區和第二區的金屬布線層；

在形成所述金屬布線層之前，還包括：

在所述第一載體襯底上形成初始犧牲層，對所述初始犧牲層進行圖形化處理形成犧牲層，所述犧牲層至少暴露出所述第一載體襯底的第一區和第二區；

在所述第一載體襯底和犧牲層上形成刻蝕停止層，所述刻蝕停止層覆蓋第一區和第二區的第一載體襯底，且至少部分位于第三區的所述犧牲層的表面。

6.根據權利要求5所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述金屬布線層形成在所述刻蝕停止層上。

7.根據權利要求6所述的半導體器件制造方法，其特征在于，在所述第一載體襯底上形成臨時鍵合膜，所述臨時鍵合膜覆蓋所述犧牲層和所述金屬布線層，所述第二載體襯底通過所述臨時鍵合膜鍵合到所述第一載體襯底上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件制造方法，其特征在于，去除所述第一載體襯底之后，還包括：在所述刻蝕停止層上形成永久鍵合膜，所述永久鍵合膜至少部分位于與第一載體襯底的第一區和第二區相對的第二載體襯底的表面；通過所述永久鍵合膜將所述第二載體襯底鍵合到所述器件襯底上后，所述永久鍵合膜部分位于所述第一部件上，以至少對部分所述第一釋放孔進行封孔。

9.根據權利要求8所述的半導體器件制造方法，其特征在于，在去除所述第二載體襯底之后，還包括：去除所述犧牲層。

10.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述第一部件為可動部件，第二部件為固定部件，所述第一部件在制造出的半導體器件中相對所述第二部件可動。

11.根據權利要求10所述的半導體器件制造方法，其特征在于，提供的所述器件襯底還具有第一犧牲件和第二犧牲件，所述第一部件的部分區域通過所述第一犧牲件固定連接到所述第二部件上，所述第一部件與所述第二部件之間的其余間隙被所述第二犧牲件填充；

所述半導體器件制造方法還包括：在將所述永久鍵合膜鍵合到所述第一部件上之前，先至少通過所述第一釋放孔去除所述第二犧牲件，并使得所述第一犧牲件保持所述第一部件與所述第二部件之間的固定連接；以及，在將所述永久鍵合膜鍵合到所述第一部件上之后且在解鍵合去除所述第二載體襯底之前或之后，去除所述第一犧牲件。