[發(fā)明專利]一種運(yùn)用于LDO的省電省面積的軟啟動(dòng)電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011585368.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN112667019A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉安偉;施冠良;鄭文豪;朱純瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 南京揚(yáng)賀揚(yáng)微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/569
• 分類號(hào): G05F1/569
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 李瓊

本發(fā)明公開了一種運(yùn)用于LDO的省電省面積的軟啟動(dòng)電路，包括第一電流源、第二電流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和電容；第一電流源的一端、第一MOS管的漏極、第二MOS管的柵極連接于第一節(jié)點(diǎn)；第二電流源的一端、第二MOS管的漏極、第三MOS管的柵極和電容的一端電連接于第二節(jié)點(diǎn)；電容的另一端、第一MOS管和第二MOS管的源極均接地；第一MOS管的柵極接收啟動(dòng)信號(hào)EA_ST；第三MOS管的源極和漏極分別與第四MOS管的源極和漏極電連接；第四MOS管位于LDO的誤差放大器中，且第四MOS管的柵極引出作為誤差放大器的正向輸入端以接收參考電壓信號(hào)。本發(fā)明不需使用復(fù)雜的控制電路，只要使用較少組件即可達(dá)成輸出軟啟動(dòng)之功能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子電路，尤其涉及一種運(yùn)用于LDO(Low Dropout regulator，低壓差線性穩(wěn)壓器)的省電省面積的軟啟動(dòng)電路。

背景技術(shù)

LDO是一種線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場效應(yīng)管(FET)，從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。一般的LDO regulator在外部電源加入初期會(huì)產(chǎn)生很大的電流，加上對負(fù)載的瞬間輸出，會(huì)造成所謂“峰值電流(Peakcurrent)”產(chǎn)生，可能會(huì)因?yàn)榻M件的耐受度降低而造成損壞，造成啟動(dòng)過沖，此時(shí)LDO輸出端的電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系如圖1所示。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：為克服現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明一方面旨在提供一種運(yùn)用于LDO的省電省面積的軟啟動(dòng)電路。另一方面，本發(fā)明提供一種包括上述軟啟動(dòng)電路的LDO。

技術(shù)方案：一方面，本發(fā)明公開了一種運(yùn)用于LDO的省電省面積的軟啟動(dòng)電路。該軟啟動(dòng)電路包括：第一電流源、第二電流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和電容；第一電流源的一端、第一MOS管的漏極、第二MOS管的柵極連接于第一節(jié)點(diǎn)；第二電流源的一端、第二MOS管的漏極、第三MOS管的柵極和電容的一端電連接于第二節(jié)點(diǎn)；電容的另一端、第一MOS管和第二MOS管的源極均接地；第一MOS管的柵極接收啟動(dòng)信號(hào)EA_ST；第三MOS管的源極和漏極分別與第四MOS管的源極和漏極電連接；所述第四MOS管位于所述LDO的誤差放大器中，且所述第四MOS管的柵極引出作為所述誤差放大器的正向輸入端以接收參考電壓信號(hào)。

進(jìn)一步地，所述第一MOS管和第二MOS管均為NMOS管；所述第三MOS管和第四MOS管均為PMOS管。

進(jìn)一步地，第一電流源和第二電流源各自包括兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管，且兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管的柵極分別接收第一偏置電壓和第二偏置電壓；所述第一電流源和第二電流源各自包括的兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管中，遠(yuǎn)離所述第一MOS管和第二MOS管的PMOS管的源極與外部電源電連接。

進(jìn)一步地，所述啟動(dòng)信號(hào)和所述參考電壓信號(hào)均來自帶隙基準(zhǔn)電壓電路。

另一方面，本發(fā)明公開了一種包括上述軟啟動(dòng)電路的LDO。所述LDO還包括誤差放大器、頻率補(bǔ)償電路、功率管、第一反饋電阻和第二反饋電阻；所述誤差放大器的輸出端經(jīng)由所述頻率補(bǔ)償電路與所述功率管的柵極電連接；所述功率管的源極接外部電源，漏極經(jīng)由串聯(lián)的第一反饋電阻和第二反饋電阻接地；所述誤差放大器的負(fù)向輸入端與第一反饋電阻和第二反饋電阻的連接點(diǎn)電連接。

進(jìn)一步地，所述誤差放大器包括：所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管和第三電流源；第四MOS管和第五MOS管的源極與所述第三電流源電連接；所述第四MOS管的漏極與第六MOS管的漏極和柵極以及第七M(jìn)OS管的柵極電連接；所述第五MOS的漏極與所述第七M(jìn)OS管的漏極電連接；第六MOS管和第七M(jìn)OS管的源極均接地；所述第五MOS管柵極引出作為所述誤差放大器的所述負(fù)向輸入端。

進(jìn)一步地，第四MOS管和第五MOS管均為PMOS管；第六MOS管和第七M(jìn)OS管均為NMOS管；所述功率管為P型功率管。

有益效果：本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：