[發(fā)明專利]周期雙向脈沖控制單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)無序擺動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011584097.7 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN112760705B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任海鵬;周子璇;李潔 | 申請(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號: | C30B15/22 | 分類號: | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 戴媛 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 周期 雙向 脈沖 控制 單晶爐軟軸提拉 系統(tǒng) 無序 擺動 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種周期雙向脈沖控制單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)無序擺動方法,步驟包括:步驟1、構(gòu)建晶體生長軟軸提拉系統(tǒng)的動力學(xué)模型;步驟2、設(shè)置針對軟軸提拉系統(tǒng)的周期雙向脈沖控制器,設(shè)計(jì)一個(gè)周期雙向脈沖控制器,在一個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)等時(shí)間間隔對轉(zhuǎn)速施加一個(gè)負(fù)脈沖和一個(gè)正脈沖,正負(fù)脈沖交替應(yīng)用,使得軟軸提拉系統(tǒng)的平均轉(zhuǎn)速不變;步驟3、利用BF算法確定周期雙向脈沖控制器的控制參數(shù)的選擇范圍。本發(fā)明的方法,可以抑制軟軸系統(tǒng)在晶體生長中的無序擺動,使擺動處于周期一運(yùn)動狀態(tài);無需狀態(tài)反饋,控制器設(shè)置簡單,控制間歇加入,不改變系統(tǒng)平均轉(zhuǎn)速,對晶體生長工藝參數(shù)影響小。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制備過程控制技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種周期雙向脈沖控制單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)無序擺動方法。
背景技術(shù)
單晶硅是集成電路的基礎(chǔ)材料,目前90%的硅基集成電路芯片的基底材料采用直拉式單晶爐制備,直拉法也稱為CZ(Czochralski)法,采用直拉法生長硅單晶時(shí),要求籽晶浸入硅熔體進(jìn)行熔接,單晶爐的軟軸旋轉(zhuǎn)提拉系統(tǒng)控制晶體一邊旋轉(zhuǎn)一邊緩慢提升以便籽晶下生長出單晶,軟軸旋轉(zhuǎn)提拉系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行對晶體生長的質(zhì)量至關(guān)重要。
但是由于機(jī)械制造原因,提拉系統(tǒng)或多或少存在偏心,同時(shí)隨著硅單晶直徑的增加,軟軸長度也隨之增加,晶體轉(zhuǎn)動頻率與軟軸提拉系統(tǒng)固有頻率的耦合經(jīng)常使得軟軸提拉系統(tǒng)出現(xiàn)無序擺動,影響晶體生長品質(zhì)。如何抑制提拉系統(tǒng)中的無序擺動成為工程技術(shù)要解決的問題。
人們試圖通過提高加工精度和避免一些引起擺動的晶轉(zhuǎn)速度來規(guī)避無序轉(zhuǎn)動,但是其擺動內(nèi)在機(jī)理決定這樣的處理方式是被動的,效果有限。如何采用非線性動力學(xué)系統(tǒng)的方法實(shí)現(xiàn)提拉系統(tǒng)無序擺動控制成為一個(gè)可能的解決方向,本發(fā)明提出周期雙向脈沖控制消除提拉系統(tǒng)無序擺動方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種周期雙向脈沖控制單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)無序擺動方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中的軟軸提拉系統(tǒng)在不改變單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)平均轉(zhuǎn)速的情況下,難以抑制無序擺動的問題。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是,一種周期雙向脈沖控制單晶爐軟軸提拉系統(tǒng)無序擺動方法,按照以下步驟具體實(shí)施:
步驟1、構(gòu)建晶體生長軟軸提拉系統(tǒng)的動力學(xué)模型;
步驟2、設(shè)置針對軟軸提拉系統(tǒng)的周期雙向脈沖控制器,
設(shè)計(jì)一種周期雙向脈沖控制器,在一個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)等時(shí)間間隔對轉(zhuǎn)速施加一個(gè)負(fù)脈沖和一個(gè)正脈沖,正負(fù)脈沖交替應(yīng)用,使得軟軸提拉系統(tǒng)的平均轉(zhuǎn)速不變;
步驟3、利用BF算法確定周期雙向脈沖控制器的控制參數(shù)的選擇范圍。
本發(fā)明的有益效果是,包括以下方面:1)周期雙向脈沖控制方法可以抑制軟軸系統(tǒng)在晶體生長中出現(xiàn)的無序擺動,使擺動處于周期一狀態(tài);2)雙向脈沖控制方法無需狀態(tài)反饋,控制器設(shè)置簡單,控制量間歇作用,不改變系統(tǒng)平均晶體旋轉(zhuǎn)速度,對晶體生長工藝影響小。
附圖說明
圖1是本發(fā)明方法控制對象的單晶爐及軟軸提拉系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明方法控制對象——軟軸提拉系統(tǒng)的模型簡化示意圖;
圖3是本發(fā)明方法采用周期雙向脈沖控制方法實(shí)施框圖;
圖4是本發(fā)明方法控制參數(shù)選擇區(qū)域示意圖;
圖5是控制參數(shù)為(Δ,κ)=(0.26,0.8)時(shí),本發(fā)明方法對軟軸提拉系統(tǒng)實(shí)施周期雙向脈沖控制后的系統(tǒng)狀態(tài)變量時(shí)序圖;
圖6是與圖5對應(yīng)的受控系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)周期運(yùn)動的龐加萊截面圖;
圖7是控制參數(shù)為(Δ,κ)=(0.285,0.7)時(shí),本發(fā)明方法對軟軸提拉系統(tǒng)實(shí)施周期雙向脈沖控制后的系統(tǒng)狀態(tài)變量時(shí)序圖;
圖8是與圖7對應(yīng)的受控系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)周期運(yùn)動的龐加萊截面圖;
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