[發明專利]一種發光二極管器件制備方法及發光二極管器件在審
| 申請號: | 202011583932.5 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN112701146A | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 王子琪 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 器件 制備 方法 | ||
一種發光二極管器件制備方法,包括以下步驟:在基板上形成第一發光單元和第二發光單元,所述第一發光單元和所述第二發光單元相鄰設置且發出不同顏色的光線;對所述第一發光單元和所述第二發光單元的間隔區域進行激光掃描。通過采用激光對所述第一發光單元和所述第二發光單元的間隔區域進行掃描,所述激光會破壞材料界面的連續性,或使材料變性,從而在激光照射區域產生大量缺陷,進而阻斷電荷在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間傳輸。因此,所制備的發光二極管器件在低亮度的情況下漏電流較小。本發明還公開了一種發光二極管器件。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發光二極管器件制備方法及一種發光二極管器件。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)技術作為目前市場上高端顯示產品如手機屏幕,電視電腦屏幕,平板屏幕,車載顯示等領域的主流技術,具有柔性可折疊,輕薄,廣色域等一系列優點。OLED發光層的制備工藝現階段為高真空蒸鍍,即在高真空環境下,加熱有機小分子材料,使其沉積在背板上。
目前,常規的發光二極管器件在使用時會出現漏電流現象。即,在點亮單色光如綠光像素時,紅光像素也會被隨之點亮,表明點亮綠光像素的電流有部分電荷傳輸到紅光像素,出現綠光亮度下降,紅光伴隨發光的現象。在高電流密度或者說高亮度下,此伴隨發光現象不明顯,可忽略不計。然而,在低亮度或者低電流的情況下,該漏電流現象會導致綠光不能達到設定的亮度,且紅光的伴隨發光會影響產品的發光顏色。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種發光二極管器件制備方法,旨在解決現有技術中發光二極管器件在低亮度或者低電流情況下的漏電流的問題。
本發明實施例提供一種發光二極管器件制備方法,包括以下步驟:
在基板上形成第一發光單元和第二發光單元,所述第一發光單元和所述第二發光單元相鄰設置且發出不同顏色的光線;
對所述第一發光單元和所述第二發光單元的間隔區域進行激光掃描。
可選地,所述激光的波長范圍為864nm到1264nm。
可選地,所述激光的脈沖寬度范圍為1ps到2ps。
可選地,所述激光的功率范圍為4W到10W。
可選地,所述激光掃描的速度為5-10cm/s。
可選地,所述第一發光單元包括依次層疊設置的第一陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層、第一陰極以及第一封蓋層,所述第二發光單元包括依次層疊設置的第二陽極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、第二陰極以及第二封蓋層,所述第一陽極和所述第二陽極之間設置絕緣凸臺,所述第一發光層和第二發光層在所述絕緣凸臺所處區域重疊設置。
可選地,所述激光掃描的區域包括所述第一發光層和所述第二發光層的重疊區域,所述第一發光層和所述第二發光層的重疊區域位于所述第一發光單元和所述第二發光單元的間隔區域之內。
可選地,所述第一空穴注入層和所述第二空穴注入層為相連的第一膜層,所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層為相連的第二膜層,所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層為相連的第三膜層,在經過激光掃描后,所述第一膜層、所述第二膜層、所述第三膜層、所述第一發光層和所述第二發光層的經過激光掃描區域的電阻率大于其未經過激光掃描區域的電阻率。
本發明實施例還公開了一種發光二極管器件,包括:
第一陽極和第二陽極,所述第一陽極和所述第二陽極絕緣設置;
第一發光層,覆蓋在所述第一陽極之上;
第二發光層,覆蓋在所述第二陽極之上,所述第一發光層和所述第二發光層在連接區域重疊設置;以及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





