[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管器件制備方法及發(fā)光二極管器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011583932.5 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112701146A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王子琪 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 宋朝政 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 器件 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基板上形成第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元相鄰設(shè)置且發(fā)出不同顏色的光線；
對所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元的間隔區(qū)域進(jìn)行激光掃描。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，所述激光的波長范圍為864nm到1264nm，和/或，所述激光的脈沖寬度范圍為1ps到2ps，和/或，所述激光的功率范圍為4W到10W。
3.如權(quán)利要求1-2任意一項所述的發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，所述激光掃描的速度為5-10cm/s。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置的第一陽極、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、第一陰極以及第一封蓋層，所述第二發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置的第二陽極、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、第二陰極以及第二封蓋層，所述第一陽極和所述第二陽極之間設(shè)置絕緣凸臺，所述第一發(fā)光層和第二發(fā)光層在所述絕緣凸臺所處區(qū)域重疊設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，所述激光掃描的區(qū)域包括所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的重疊區(qū)域，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的重疊區(qū)域位于所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元的間隔區(qū)域之內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管器件制備方法，其特征在于，所述第一空穴注入層和所述第二空穴注入層為相連的第一膜層，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層為相連的第二膜層，所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層為相連的第三膜層，所述第一膜層、所述第二膜層、所述第三膜層、所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的經(jīng)過激光掃描區(qū)域的電阻率大于其未經(jīng)過激光掃描區(qū)域的電阻率。
7.一種發(fā)光二極管器件，其特征在于，包括：
第一陽極和第二陽極，所述第一陽極和所述第二陽極絕緣設(shè)置；
第一發(fā)光層，覆蓋在所述第一陽極之上；
第二發(fā)光層，覆蓋在所述第二陽極之上，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層在連接區(qū)域重疊設(shè)置；以及
陰極，覆蓋在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層之上；
所述第一陽極、所述第一發(fā)光層以及所述陰極共同組成第一發(fā)光單元，所述第二陽極、所述第二發(fā)光層以及所述陰極共同組成第二發(fā)光單元；
所述發(fā)光二極管器件還包括激光掃描區(qū)域，所述激光掃描區(qū)域位于所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元之間，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層位于所述激光掃描區(qū)域之內(nèi)部分的電阻率大于其位于所述激光掃描區(qū)域之外部分的電阻率。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：
第一傳輸層，設(shè)置在所述第一發(fā)光層和所述第一陽極之間，以及設(shè)置在所述第二發(fā)光層和所述第二陽極之間；以及
第二傳輸層，設(shè)置在所述第一發(fā)光層和所述陰極之間，以及設(shè)置在所述第二發(fā)光層和所述陰極之間；
所述第一傳輸層和所述第二傳輸層位于所述激光掃描區(qū)域之內(nèi)部分的電阻率大于其位于所述激光掃描區(qū)域之外部分的電阻率。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：
第一注入層，設(shè)置在所述第一傳輸層和所述第一陽極之間，以及設(shè)置在所述第一傳輸層和所述第二陽極之間；
所述第一注入層位于所述激光掃描區(qū)域之內(nèi)部分的電阻率大于其位于所述激光掃描區(qū)域之外部分的電阻率。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：
封蓋層，覆蓋在所述陰極之上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
