[發明專利]鍍膜裝置及鍍膜方法在審
| 申請號： | 202011583360.0 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112779522A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 劉亮;楊彥偉;鄒顏 | 申請（專利權）人： | 芯思杰技術（深圳）股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/50 | 分類號： | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/34 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悅涵 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍍膜 裝置 方法 | ||
1.一種鍍膜裝置，其特征在于，包括：
載板，所述載板上開設有凹槽；以及
輔助部件，位于所述凹槽內，所述輔助部件與所述凹槽的內壁之間形成一用于放置基片的鍍膜空間，且所述鍍膜空間與所述基片的形狀相適配。
2.根據權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜裝置包括多個長度不等的所述輔助部件，根據所述基片不同的形狀選擇不同的所述輔助部件設置在所述凹槽內。
3.根據權利要求1或2所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述輔助部件呈長條形。
4.根據權利要求3所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述輔助部件為硅片。
5.根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于：每一所述輔助部件的寬度相同，且每一所述輔助部件的厚度相同。
6.根據權利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述輔助部件的寬度為500-1000微米；
所述輔助部件的厚度為340-360微米。
7.一種鍍膜方法，其特征在于，包括：
將基片放置在如權利要求1至6任意一項所述的鍍膜裝置內；以及
將所述鍍膜裝置送入PECVD機臺。
8.根據權利要求7所述的鍍膜方法，其特征在于，所述將基片放置在所述鍍膜裝置內包括：
將所述基片放置在所述載板上開設的所述凹槽內；以及
通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍。
9.根據權利要求8所述的鍍膜方法，其特征在于，所述通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍包括：
以所述凹槽的部分內壁作為放置所述基片的基準，所述輔助部件配合所述凹槽的內壁，對所述基片進行包圍。
10.根據權利要求8或9所述的鍍膜方法，其特征在于：在所述通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍之前：
根據所述基片不同的形狀選擇不同的所述輔助部。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
