[發明專利]鍍膜裝置及鍍膜方法

在審

• 申請號: 202011583360.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112779522A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 劉亮;楊彥偉;鄒顏
• 申請（專利權）人: 芯思杰技術（深圳）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/458;C23C16/34
• 代理公司: 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481
• 代理人: 艾青;牛悅涵

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種鍍膜裝置及鍍膜方法。鍍膜裝置包括載板以及輔助部件，載板上開設有凹槽，輔助部件位于凹槽內，輔助部件與凹槽的內壁之間形成一用于放置基片的鍍膜空間，且鍍膜空間與基片的形狀相適配。鍍膜方法包括將基片放置在鍍膜裝置內以及將鍍膜裝置送入PECVD機臺。上述鍍膜裝置，完整基片在鍍膜時的邊沿色差有所改善，而且非標準基片在鍍膜時的邊沿色差也有所改善，只需通過設置在凹槽內的輔助部件，由于輔助部件與凹槽的內壁之間形成合適的鍍膜空間，如此，淀積氮化硅的邊沿效益只會出現在輔助部件上，而不會影響基片，從而避免氮化硅的堆積對等離子場淀積到基片表面的影響，有效改善在鍍膜過程中邊沿色差的問題。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種鍍膜裝置及鍍膜方法。

背景技術

PECVD(等離子體增強化學氣相淀積)是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而被稱為等離子體增強化學氣相淀積。采用PECVD方法進行鍍膜，基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較小、不易龜裂。

在太陽能電池的生產過程中，通過PECVD工序在基片表面鍍膜是重要的工序之一，這層膜可以降低電池對太陽光的反射，提高電池對太陽能能量的吸收。鍍膜時，將基片放置在特制的鍍膜裝置上后再送入PECVD機臺，并使用氮化硅氣體對基片表面進行鍍膜。在鍍膜過程中，氮化硅容易發生堆積造成沉積的不均勻，從而導致基片邊沿與中間存在色差。現有的鍍膜裝置及鍍膜方法雖然對完整基片在鍍膜過程中邊沿色差有所改善，然而在工藝生產中還有許多非標準基片，這些非標準基片在鍍膜時依然存在邊沿色差嚴重，影響基片外觀，降低基片良率。

發明內容

本發明的主要目的是：提供一種鍍膜裝置及鍍膜方法，旨在解決非標準基片在鍍膜時依然存在邊沿色差嚴重，影響基片外觀，降低基片良率的問題。

為了實現上述技術問題，本發明提供了一種鍍膜裝置，鍍膜裝置包括載板以及輔助部件，所述載板上開設有凹槽，所述輔助部件位于所述凹槽內，所述輔助部件與所述凹槽的內壁之間形成一用于放置基片的鍍膜空間，且所述鍍膜空間與所述基片的形狀相適配。

可選地，所述鍍膜裝置包括多個長度不等的所述輔助部件，根據所述基片不同的形狀選擇不同的所述輔助部件設置在所述凹槽內。

可選地，所述輔助部件呈長條形。

可選地，所述輔助部件為硅片。

可選地，每一所述輔助部件的寬度相同，且每一所述輔助部件的厚度相同。

可選地，所述輔助部件的寬度為500-1000微米；

所述輔助部件的厚度為340-360微米。

另外，本發明還提供了一種鍍膜方法，鍍膜方法包括將基片放置在如上述任意一項所述的鍍膜裝置內；以及將所述鍍膜裝置送入PECVD機臺。

可選地，所述將基片放置在所述鍍膜裝置內包括將所述基片放置在所述載板上開設的所述凹槽內以及通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍。

可選地，所述通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍包括以所述凹槽的部分內壁作為放置所述基片的基準，所述輔助部件配合所述凹槽的內壁，對所述基片進行包圍。

可選地，在所述通過所述輔助部件與所述凹槽的內壁將所述基片包圍之前，根據所述基片不同的形狀選擇不同的所述輔助部件。