[發(fā)明專利]鍍膜晶片校正設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011582736.6
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112626480A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董書霞;湯玉根;汪鑫;潘小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥晶威特電子有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/34
• 代理公司: 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34118
• 代理人: 王挺

本發(fā)明公開了鍍膜晶片校正設(shè)備，包括用于放置待鍍膜晶片的校正板以及用于傾斜校正板從而使晶片沿板身向下滑落的抬升機(jī)構(gòu)，所述校正板上設(shè)置有位于晶片滑落軌跡上的定位部，所述定位部的定位面正對晶片，所述晶片在滑落過程中與定位部的定位面緊密貼合。本發(fā)明將晶片布置在校正板上，通過設(shè)置抬升機(jī)構(gòu)使校正板板身傾斜，從而讓晶片沿板身向下滑落，在滑落過程中與正對晶片設(shè)置的定位部緊密貼合在一起，保證所有晶片之間距離固定，使得后續(xù)壓電晶片上的鍍膜位置相同。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鍍膜制造領(lǐng)域，具體是一種鍍膜晶片校正設(shè)備。

背景技術(shù)

濺射鍍膜技術(shù)是用離子轟擊靶材表面，把靶材的原子被擊出的現(xiàn)象稱為濺射。濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。

在對壓電晶片進(jìn)行鍍膜時(shí)，壓電晶片通過自動(dòng)化機(jī)械臂放置在校正板上，由于放置時(shí)存在微小的距離誤差，所有的壓電晶片間的距離可能各不相等，導(dǎo)致后續(xù)濺射鍍膜時(shí)，每塊壓電晶片上鍍膜的區(qū)域各不相同，影響后續(xù)使用，因此亟待解決。

發(fā)明內(nèi)容

為了避免和克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了鍍膜晶片校正設(shè)備。本發(fā)明通過設(shè)置抬升機(jī)構(gòu)將校正板抬起使得晶片向下滑落，在滑落過程中與正對晶片設(shè)置的定位部緊密貼合在一起，保證所有晶片之間距離固定，使得后續(xù)壓電晶片上的鍍膜位置相同。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

鍍膜晶片校正設(shè)備，包括用于放置待鍍膜晶片的校正板以及用于傾斜校正板從而使晶片沿板身向下滑落的抬升機(jī)構(gòu)，所述校正板上設(shè)置有位于晶片滑落軌跡上的定位部，所述定位部的定位面正對晶片，所述晶片在滑落過程中與定位部的定位面緊密貼合。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述校正板上開設(shè)有容置槽供待鍍膜的晶片放入其中，所述定位部設(shè)置在容置槽內(nèi)。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述容置槽即為定位部；所述容置槽內(nèi)至少一段槽壁為直角壁，與晶片緊密貼合的直角壁即為定位部的定位面。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述容置槽內(nèi)自下而上凸設(shè)有直角狀的凸起部，所述凸起部即為定位部，凸起部與晶片緊密貼合的直角壁即為定位部的定位面。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述校正板為水平固定在箱體上的方形板；沿校正板的對角線方向，校正板的一角端與箱體鉸接，校正板的另一角端與抬升機(jī)構(gòu)固定連接。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述校正板和/或抬升機(jī)構(gòu)上設(shè)置有在抬起校正板后啟動(dòng)的振動(dòng)模塊。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述箱體上開設(shè)有安裝槽供伸縮桿裝入其中，伸縮桿的桿端與校正板板身固定連接，所述伸縮桿即為抬升機(jī)構(gòu)；所述安裝槽內(nèi)固定有振動(dòng)座，伸縮桿安裝在振動(dòng)座上，所述振動(dòng)座即為振動(dòng)模塊。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述校正板包括自上而下層疊布置的上濺射鍍膜板、定位板以及下濺射鍍膜板，所述容置槽開設(shè)在定位板上；所述上濺射鍍膜板和下濺射鍍膜板的板身上開設(shè)有與容置槽位置對應(yīng)的濺射鍍膜孔，且上濺射鍍膜板以及下濺射鍍膜板上的濺射鍍膜孔形狀關(guān)于定位板鏡像對稱。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述校正板還包括上防護(hù)板和下防護(hù)板，所述上防護(hù)板和下防護(hù)板將上濺射鍍膜板、定位板以及下濺射鍍膜板夾緊固定；所述上防護(hù)板和下防護(hù)板上均開設(shè)有與容置槽位置對應(yīng)的孔以方便濺射鍍膜。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：所述上防護(hù)板和下防護(hù)板其中一塊為磁性板，另一塊為金屬制板，所述下防護(hù)板和上防護(hù)板彼此吸附從而將上濺射鍍膜板、定位板以及下濺射鍍膜板夾緊。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：