[發(fā)明專利]鍍膜晶片校正設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011582736.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112626480A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董書霞;湯玉根;汪鑫;潘小龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥晶威特電子有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/50 | 分類號(hào): | C23C14/50;C23C14/34 |
| 代理公司: | 合肥和瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 王挺 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 晶片 校正 設(shè)備 | ||
1.鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,包括用于放置待鍍膜晶片的校正板(3)以及用于傾斜校正板(3)從而使晶片沿板身向下滑落的抬升機(jī)構(gòu),所述校正板(3)上設(shè)置有位于晶片滑落軌跡上的定位部,所述定位部的定位面正對(duì)晶片,所述晶片在滑落過程中與定位部的定位面緊密貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述校正板(3)上開設(shè)有容置槽供待鍍膜的晶片放入其中,所述定位部設(shè)置在容置槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述容置槽即為定位部;所述容置槽內(nèi)至少一段槽壁為直角壁,與晶片緊密貼合的直角壁即為定位部的定位面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述容置槽內(nèi)自下而上凸設(shè)有直角狀的凸起部,所述凸起部即為定位部,凸起部與晶片緊密貼合的直角壁即為定位部的定位面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述校正板(3)為水平固定在箱體(1)上的方形板;沿校正板(3)的對(duì)角線方向,校正板(3)的一角端與箱體(1)鉸接,校正板(3)的另一角端與抬升機(jī)構(gòu)固定連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述校正板(3)和/或抬升機(jī)構(gòu)上設(shè)置有在抬起校正板(3)后啟動(dòng)的振動(dòng)模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述箱體(1)上開設(shè)有安裝槽供伸縮桿(2)裝入其中,伸縮桿(2)的桿端與校正板(3)板身固定連接,所述伸縮桿(2)即為抬升機(jī)構(gòu);所述安裝槽內(nèi)固定有振動(dòng)座(4),伸縮桿(2)安裝在振動(dòng)座(4)上,所述振動(dòng)座(4)即為振動(dòng)模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述校正板(3)包括自上而下層疊布置的上濺射鍍膜板(32)、定位板(33)以及下濺射鍍膜板(34),所述容置槽開設(shè)在定位板(33)上;所述上濺射鍍膜板(32)和下濺射鍍膜板(34)的板身上開設(shè)有與容置槽位置對(duì)應(yīng)的濺射鍍膜孔,且上濺射鍍膜板(32)以及下濺射鍍膜板(34)上的濺射鍍膜孔形狀關(guān)于定位板(33)鏡像對(duì)稱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述校正板(3)還包括上防護(hù)板(31)和下防護(hù)板(35),所述上防護(hù)板(31)和下防護(hù)板(35)將上濺射鍍膜板(32)、定位板(33)以及下濺射鍍膜板(34)夾緊固定;所述上防護(hù)板(31)和下防護(hù)板(35)上均開設(shè)有與容置槽位置對(duì)應(yīng)的孔以方便濺射鍍膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜晶片校正設(shè)備,其特征在于,所述上防護(hù)板(31)和下防護(hù)板(35)其中一塊為磁性板,另一塊為金屬制板,所述下防護(hù)板(35)和上防護(hù)板(31)彼此吸附從而將上濺射鍍膜板(32)、定位板(33)以及下濺射鍍膜板(34)夾緊。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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