[發明專利]一種確定NAND閃存讀取電壓的方法及裝置

在審

• 申請號: 202011581255.3
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112634971A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 吳莉莉
• 申請（專利權）人: 合肥大唐存儲科技有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/34;G11C16/12
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 富愛民;李丹

本申請提供一種確定NAND閃存讀取電壓的方法及裝置，所述方法包括：確定樣本未完全編程塊包含的解碼失敗的頁，其中，所述樣本未完全編程塊為NAND閃存中含有未被編程的頁的塊；根據獲取到的所述NAND閃存對應的多個電壓組，確定使用每個電壓組重讀所述解碼失敗的頁時成功解回的頁的頁數；其中，每個電壓組合包括多個讀取電壓；根據每個電壓組對應的成功解回的頁的頁數，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組。上述技術方案可以確定用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組，通過該讀取電壓組重讀未完全編程塊的解碼失敗的頁可以提高重讀的效率，從而可以提高NAND閃存的讀取效率。

技術領域

本申請涉及但不限于計算機領域，尤其涉及確定NAND閃存讀取電壓的方法及裝置。

背景技術

由于制作工藝或者硬件電氣特性的影響，存儲在NAND閃存(Nand Flash)中的數據位會發生反轉。當前使用NAND閃存的產品中，都會通過解碼模塊對NAND閃存進行解碼，當發生反轉的數據量較大并超出硬件糾錯模塊的糾錯能力時，可能就會產生數據丟失。

NAND閃存中的塊可能包括兩種狀態，一種狀態是塊(Block)中存在未被編程(Program)的頁(Page)，這種塊稱為未完全編程塊(Open Block)，另一種狀態是塊中所有的頁均被編程，這種塊稱為完全編程塊(Close Block)。

目前，在選擇讀取電壓對Nand閃存進行數據讀取時，通常不區分塊的類型，在對所有的塊解碼失敗(ECC Fail)的頁進行重讀時采用相同的讀取方法。但是由于Open Block和Close Block存在較大的差異，使得重讀效果不理想。

發明內容

本申請所要解決的技術是提供一種確定NAND閃存讀取電壓的方法及裝置，可以確定用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組，從而提高NAND閃存的讀取效率。

為了解決上述技術問題，本申請提供了一種確定NAND閃存讀取電壓的方法，包括：

確定樣本未完全編程塊包含的解碼失敗的頁，其中，所述樣本未完全編程塊為NAND閃存中含有未被編程的頁的塊；

根據獲取到的所述NAND閃存對應的多個電壓組，確定使用每個電壓組重讀所述解碼失敗的頁時成功解回的頁的頁數；其中，每個電壓組合包括多個讀取電壓；

根據每個電壓組對應的成功解回的頁的頁數，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組。

在一種示例性實例中，根據每個電壓組對應的成功解回的頁的頁數，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組，包括：

按照每個電壓組對應的成功解回的頁的頁數由高到低的順序，選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組。

在一種示例性實例中，所述方法還包括：

當重讀未完全編程塊包含的解碼失敗的頁時，使用所述用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組重讀所述解碼失敗的頁。

在一種示例性實例中，所述選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組之后，所述方法還包括：

當選擇兩個以上電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組時，根據選擇的每個電壓組對應的成功解回的頁的頁數，設置每個電壓組的優先級，其中，所述優先級與所述成功解回的頁的頁數正相關。

在一種示例性實例中，所述方法還包括：

當重讀未完全編程塊包含的解碼失敗的頁時，按照電壓組的優先級由高到低的順序，使用用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組重讀所述解碼失敗的頁。

本申請還提供一種確定NAND閃存讀取電壓的裝置，所述裝置包括：存儲器和處理器；