[發(fā)明專利]一種確定NAND閃存讀取電壓的方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011581255.3 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112634971A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳莉莉 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥大唐存儲科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人： | 富愛民;李丹 |
| 地址： | 100094*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 確定 nand 閃存 讀取 電壓 方法 裝置 | ||
1.一種確定NAND閃存讀取電壓的方法，包括：
確定樣本未完全編程塊包含的解碼失敗的頁，其中，所述樣本未完全編程塊為NAND閃存中含有未被編程的頁的塊；
根據(jù)獲取到的所述NAND閃存對應(yīng)的多個電壓組，確定使用每個電壓組重讀所述解碼失敗的頁時成功解回的頁的頁數(shù)；其中，每個電壓組合包括多個讀取電壓；
根據(jù)每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
根據(jù)每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組，包括：
按照每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)由高到低的順序，選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
當(dāng)重讀未完全編程塊包含的解碼失敗的頁時，使用所述用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組重讀所述解碼失敗的頁。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組之后，所述方法還包括：
當(dāng)選擇兩個以上電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組時，根據(jù)選擇的每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，設(shè)置每個電壓組的優(yōu)先級，其中，所述優(yōu)先級與所述成功解回的頁的頁數(shù)正相關(guān)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
當(dāng)重讀未完全編程塊包含的解碼失敗的頁時，按照電壓組的優(yōu)先級由高到低的順序，使用用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組重讀所述解碼失敗的頁。
6.一種確定NAND閃存讀取電壓的裝置，所述裝置包括：存儲器和處理器；其特征在于：
所述存儲器，用于保存用于確定NAND閃存讀取電壓的程序；
所述處理器，用于讀取執(zhí)行所述用于確定NAND閃存讀取電壓的程序，執(zhí)行如下操作：
確定樣本未完全編程塊包含的解碼失敗的頁，其中，所述樣本未完全編程塊為NAND閃存中含有未被編程的頁的塊；
根據(jù)獲取到的所述NAND閃存對應(yīng)的多個電壓組，確定使用每個電壓組重讀所述解碼失敗的頁時成功解回的頁的頁數(shù)；其中，每個電壓組合包括多個讀取電壓；
根據(jù)每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：
根據(jù)每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，選擇至少一個電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組，包括：
按照每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)由高到低的順序，選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理器，用于讀取執(zhí)行所述用于確定NAND閃存讀取電壓的程序，還執(zhí)行如下操作：
所述選擇至少一個電壓組作為用于讀取所述未完全編程塊的讀取電壓組之后，當(dāng)選擇兩個以上電壓組作為用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組時，根據(jù)選擇的每個電壓組對應(yīng)的成功解回的頁的頁數(shù)，設(shè)置每個電壓組的優(yōu)先級，其中，所述優(yōu)先級與所述成功解回的頁的頁數(shù)正相關(guān)。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述處理器，用于讀取執(zhí)行所述用于確定NAND閃存讀取電壓的程序，還執(zhí)行如下操作：
當(dāng)重讀未完全編程塊包含的解碼失敗的頁時，按照電壓組的優(yōu)先級由高到低的順序，使用用于讀取未完全編程塊的讀取電壓組重讀所述解碼失敗的頁。
10.一種計算機(jī)存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)中存儲有計算機(jī)程序，其中，所述計算機(jī)程序被設(shè)置為運(yùn)行時執(zhí)行所述權(quán)利要求1至5中任一所述的確定NAND閃存讀取電壓的方法。
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