[發(fā)明專利]半導體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011580043.3
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN112701122A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設計）人: 樸寅洙;李起洪;千慧禎
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

溝道層；

數(shù)據(jù)存儲層，所述數(shù)據(jù)存儲層圍繞所述溝道層并且沿著所述溝道層延伸；

層間絕緣層，所述層間絕緣層圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層并且沿著所述溝道層層疊，其中，所述層間絕緣層彼此間隔開，其中，在所述層間絕緣層之間設置有導電區(qū)域；

導電圖案，所述導電圖案被設置在所述導電區(qū)域中并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層；

緩沖圖案，所述緩沖圖案被設置在所述層間絕緣層與所述數(shù)據(jù)存儲層之間，并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層，其中，各個所述緩沖圖案包括致密區(qū)域，其中，所述緩沖圖案通過所述導電區(qū)域彼此間隔開；以及

阻擋絕緣圖案，所述阻擋絕緣圖案被設置在所述導電圖案與所述數(shù)據(jù)存儲層之間，并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層，

其中，所述致密區(qū)域部分地形成在各個所述緩沖圖案內。

2.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

溝道層；

數(shù)據(jù)存儲層，所述數(shù)據(jù)存儲層圍繞所述溝道層并且沿著所述溝道層延伸；

層間絕緣層，所述層間絕緣層圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層并且沿著所述溝道層層疊，其中，所述層間絕緣層彼此間隔開，其中，在所述層間絕緣層之間設置有導電區(qū)域；

導電圖案，所述導電圖案被設置在所述導電區(qū)域中并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層；以及

緩沖圖案，所述緩沖圖案被設置在所述層間絕緣層與所述數(shù)據(jù)存儲層之間，并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層，其中，各個所述緩沖圖案包括致密區(qū)域，其中，所述緩沖圖案通過所述導電區(qū)域彼此間隔開，

其中，所述層間絕緣層具有分別與所述緩沖圖案接觸的側壁，并且

其中，所述致密區(qū)域還從各個所述緩沖圖案延伸到所述層間絕緣層的各個所述側壁中。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，所述半導體器件還包括阻擋絕緣圖案，所述阻擋絕緣圖案被設置在所述導電圖案與所述數(shù)據(jù)存儲層之間，并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，各個所述緩沖圖案僅由所述致密區(qū)域形成并且與所述數(shù)據(jù)存儲層接觸。

5.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電區(qū)域具有第一邊緣，

其中，所述第一邊緣通過所述緩沖圖案和所述數(shù)據(jù)存儲層來限定，并且

其中，所述導電區(qū)域的所述第一邊緣具有直角。

6.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述數(shù)據(jù)存儲層包括：

第一部分，所述第一部分面對所述溝道層并且具有平面結構；以及

第二部分，所述第二部分面對所述層間絕緣層和所述導電圖案，并且具有不平坦的表面結構。

7.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電區(qū)域具有第一邊緣，

其中，所述第一邊緣通過各個所述緩沖圖案的所述致密區(qū)域和所述數(shù)據(jù)存儲層來限定，所述致密區(qū)域在各個所述層間絕緣層中延伸，并且

其中，所述導電區(qū)域的所述第一邊緣是直角的或圓角的。

8.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

溝道層；

數(shù)據(jù)存儲層，所述數(shù)據(jù)存儲層圍繞所述溝道層并且沿著所述溝道層延伸；

層間絕緣層，所述層間絕緣層圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層并且沿著所述溝道層層疊，其中，所述層間絕緣層彼此間隔開，其中，在所述層間絕緣層之間設置有導電區(qū)域；

導電圖案，所述導電圖案被設置在所述導電區(qū)域中并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層；以及

緩沖圖案，所述緩沖圖案被設置在所述層間絕緣層與所述數(shù)據(jù)存儲層之間，并且圍繞所述數(shù)據(jù)存儲層，其中，各個所述緩沖圖案包括致密區(qū)域，其中，所述緩沖圖案通過所述導電區(qū)域彼此間隔開。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中，所述致密區(qū)域部分地形成在各個所述緩沖圖案內。