[發(fā)明專利]電源監(jiān)控電路及開(kāi)關(guān)電源

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011574949.4
• 申請(qǐng)日: 2020-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114696587A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王歡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/36
• 分類號(hào): H02M1/36;H02M1/088
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

本發(fā)明公開(kāi)了一種電源監(jiān)控電路及開(kāi)關(guān)電源，電源監(jiān)控電路包括：核心采樣控制模塊，用于根據(jù)電源電壓的電平狀態(tài)輸出具有第一邏輯電平的第一控制信號(hào)；電荷泵，用于根據(jù)不同的復(fù)位指示信號(hào)的有效電平狀態(tài)產(chǎn)生相應(yīng)的基準(zhǔn)電壓；邏輯電平轉(zhuǎn)換模塊，用于根據(jù)基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換第一控制信號(hào)的邏輯電平，以輸出具有第二邏輯電平的第二控制信號(hào)；輸出模塊，包括至少一個(gè)開(kāi)關(guān)管，柵極接收第二控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)管用于在導(dǎo)通時(shí)于漏極輸出有效的復(fù)位指示信號(hào)，且開(kāi)關(guān)管為耗盡型晶體管。該電路能夠在電源電壓為0V時(shí)即可正常工作，且占用面積小，穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電源監(jiān)控電路及開(kāi)關(guān)電源。

背景技術(shù)

對(duì)于電源監(jiān)控芯片等電路，要求輸出引腳能在盡量低的電源電壓下也具有提供正確指示電壓的能力，并提供具有足夠低的輸出阻抗。為防止電源故障，大部分電路系統(tǒng)中，應(yīng)用電源監(jiān)控芯片對(duì)系統(tǒng)電源電壓進(jìn)行監(jiān)控，在電源電壓低于系統(tǒng)工作電壓時(shí)，電源監(jiān)控芯片輸出邏輯高電平或者邏輯低電平給核心電路，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)位。這要求電源監(jiān)控芯片能在極低的電源電壓下給系統(tǒng)后級(jí)芯片提供正確的復(fù)位指示，這需要復(fù)位芯片在極低電壓下即可工作。

電源監(jiān)控芯片電路(下文中簡(jiǎn)稱為電源監(jiān)控電路)10的典型電路結(jié)構(gòu)可參考圖1，包括輸出電路11和與該輸出電路11連接的核心采樣控制電路12，輸出電路11包括串聯(lián)于電源電壓VCC輸入端與參考地GND之間的晶體管M10和晶體管M11，晶體管M0和晶體管M1的柵極則均與核心采樣控制電路12的輸出端連接。以低電平為有效復(fù)位電平舉例，針對(duì)前述問(wèn)題，傳統(tǒng)的解決方案通常為增加輸出電路11中晶體管M10和晶體管M11的寬長(zhǎng)比，降低輸出電路11的導(dǎo)通阻抗，以及在輸出端外接外置電阻R。針對(duì)該方案，增加外置電阻R會(huì)增加系統(tǒng)整體功耗。而增加輸出電路11中晶體管M10和晶體管M11的寬長(zhǎng)比不僅增大了芯片面積，并且該電路并沒(méi)有徹底解決低電壓工作的難題，它通常需要核心電路能在低電壓工作。

因此，有必要提供改進(jìn)的技術(shù)方案以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源監(jiān)控電路及開(kāi)關(guān)電源，該電源監(jiān)控電路在電源電壓為0V時(shí)即可正常工作，且占用面積小，穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性高。

根據(jù)本公開(kāi)第一方面，提供了一種電源監(jiān)控電路，包括：核心采樣控制模塊，與電源電壓輸入端連接，用于根據(jù)所述電源電壓的電平狀態(tài)輸出具有第一邏輯電平的第一控制信號(hào)；

電荷泵，用于根據(jù)不同的復(fù)位指示信號(hào)的有效電平狀態(tài)產(chǎn)生相應(yīng)的基準(zhǔn)電壓；

邏輯電平轉(zhuǎn)換模塊，分別與所述輸出模塊、所述核心采樣控制模塊和所述電荷泵連接，用于根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換所述第一控制信號(hào)的邏輯電平，以輸出具有第二邏輯電平的第二控制信號(hào)；

輸出模塊，用于根據(jù)所述第二控制信號(hào)提供復(fù)位指示信號(hào)，所述復(fù)位指示信號(hào)用于表征所述電源電壓的電平狀態(tài)，

其中，所述輸出模塊包括至少一個(gè)開(kāi)關(guān)管，柵極接收所述第二控制信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)管用于在導(dǎo)通時(shí)于漏極輸出有效的所述復(fù)位指示信號(hào)，且所述開(kāi)關(guān)管為耗盡型晶體管。

可選地，所述輸出模塊為包括：第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管，

所述第一開(kāi)關(guān)管和所述第二開(kāi)關(guān)管依次串聯(lián)于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第一開(kāi)關(guān)管的柵極接收所述第一控制信號(hào)或所述第二控制信號(hào)，所述第二開(kāi)關(guān)管的柵極接收所述第二控制信號(hào)，

其中，所述第一開(kāi)關(guān)管為增強(qiáng)型PMOS晶體管，所述第二開(kāi)關(guān)管為耗盡型NMOS晶體管，所述輸出模塊于所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極處輸出所述復(fù)位指示信號(hào)，且所述復(fù)位指示信號(hào)為低電平狀態(tài)時(shí)有效。

可選地，所述輸出模塊為包括：第一電阻和第三開(kāi)關(guān)管，

所述第一電阻和所述第三開(kāi)關(guān)管依次串聯(lián)于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第三開(kāi)關(guān)管的柵極接收所述第二控制信號(hào)，