[發明專利]電源監控電路及開關電源

在審

• 申請號: 202011574949.4
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN114696587A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王歡
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36;H02M1/088
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種電源監控電路，其中，包括：

核心采樣控制模塊，與電源電壓輸入端連接，用于根據所述電源電壓的電平狀態輸出具有第一邏輯電平的第一控制信號；

電荷泵，用于根據不同的復位指示信號的有效電平狀態產生相應的基準電壓；

邏輯電平轉換模塊，分別與所述輸出模塊、所述核心采樣控制模塊和所述電荷泵連接，用于根據所述基準電壓轉換所述第一控制信號的邏輯電平，以輸出具有第二邏輯電平的第二控制信號；

輸出模塊，用于根據所述第二控制信號提供復位指示信號，所述復位指示信號用于表征所述電源電壓的電平狀態，

其中，所述輸出模塊包括至少一個開關管，柵極接收所述第二控制信號，所述開關管用于在導通時于漏極輸出有效的所述復位指示信號，且所述開關管為耗盡型晶體管。

2.根據權利要求1所述的電源監控電路，其中，所述輸出模塊為包括：第一開關管和第二開關管，

所述第一開關管和所述第二開關管依次串聯于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第一開關管的柵極接收所述第一控制信號或所述第二控制信號，所述第二開關管的柵極接收所述第二控制信號，

其中，所述第一開關管為增強型PMOS晶體管，所述第二開關管為耗盡型NMOS晶體管，所述輸出模塊于所述第二開關管的漏極處輸出所述復位指示信號，且所述復位指示信號為低電平狀態時有效。

3.根據權利要求1所述的電源監控電路，其中，所述輸出模塊為包括：第一電阻和第三開關管，

所述第一電阻和所述第三開關管依次串聯于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第三開關管的柵極接收所述第二控制信號，

其中，所述第三開關管為耗盡型NMOS晶體管，所述輸出模塊于所述第三開關管的漏極處輸出所述復位指示信號，且所述復位指示信號為低電平狀態時有效。

4.根據權利要求1所述的電源監控電路，其中，所述輸出模塊為包括：第四開關管和第五開關管，

所述第四開關管和所述第五開關管依次串聯于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第四開關管的柵極接收所述第一控制信號或所述第二控制信號，所述第五開關管的柵極接收所述第二控制信號，

其中，所述第四開關管為耗盡型PMOS晶體管，所述第五開關管為增強型NMOS晶體管，所述輸出模塊于所述第四開關管的漏極處輸出所述復位指示信號，且所述復位指示信號為高電平狀態時有效。

5.根據權利要求1所述的電源監控電路，其中，所述輸出模塊為包括：第六開關管和第二電阻，

所述第六開關管和所述第二電阻依次串聯于電源電壓輸入端和參考地之間，所述第六開關管的柵極接收所述第二控制信號，

其中，所述第六開關管為耗盡型PMOS晶體管，所述輸出模塊于所述第六開關管的漏極處輸出所述復位指示信號，且所述復位指示信號為高電平狀態時有效。

6.根據權利要求2和3中任一項所述的電源監控電路，其中，所述電荷泵為產生具有負電壓的基準電壓。

7.根據權利要求4和5中任一項所述的電源監控電路，其中，所述電荷泵為產生具有大于所述電源電壓的基準電壓。

8.根據權利要求6所述的電源監控電路，其中，當所述第一邏輯電平為所述電源電壓時，所述第二邏輯電平也為所述電源電壓；

當所述第一邏輯電平為0時，所述第二邏輯電平為所述基準電壓。

9.根據權利要求7所述的電源監控電路，其中，當所述第一邏輯電平為所述電源電壓時，所述第二邏輯電平為0；

當所述第一邏輯電平為0時，所述第二邏輯電平為所述基準電壓。

10.一種開關電源，包括控制電路和功率電路，其中，所述控制電路包括控制模塊和如權利要求1-9中任一項所述的電源監控電路。