[發明專利]一種雙氧化組分鋁蝕刻液、其制備方法與應用

在審

• 申請號: 202011573341.X
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112795924A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 童晨;吳海燕;韓成強;孫元;陳桂紅
• 申請（專利權）人: 昆山晶科微電子材料有限公司
• 主分類號: C23F1/20
• 分類號: C23F1/20;H01L21/3213
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，包括第一氧化組分和第二氧化組分，其中，第一氧化組分和第二氧化組分質量比為1～2:3～5；

第一氧化組分各組分及各組分含量為硝酸10～30wt％、醋酸鹽緩沖溶液10～20wt％以及去離子水；

第二氧化組分各組分以及各組分含量為雙氧水10～30wt％、醋酸鹽緩沖溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、陽離子表面活性劑10～20wt％以及去離子水。

2.根據權利要求1所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，所述硝酸純度為95％～99％。

3.根據權利要求1所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，所述醋酸鹽緩沖溶液的pH為3.0～4.0；

優選地，所述醋酸鹽緩沖溶液配置方法為將醋酸銨溶于去離子水中，之后加入鹽酸溶液，之后用氨水調節pH，制得；

優選地，所述氨水的濃度為0.1～1.0mol/L。

4.根據權利要求1所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，所述雙氧水的質量分數為5wt％～20wt％；

優選地，所述磷酸的質量分數為95％～98％。

5.根據權利要求1所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，所述陽離子表面活性劑選自伯胺鹽表面活性劑、仲胺鹽和叔胺鹽表面活性劑中的至少一種。

6.一種制備權利要求1-5中任一項所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液，其特征在于，包括以下步驟：

(1)第一氧化組分：將硝酸滴加到去離子水中之后溶于醋酸鹽緩沖溶液，并在室溫下攪拌至混合均勻制得第一氧化組分；

(2)第二氧化組分：將雙氧水溶于去離子水，之后在攪拌條件下加入磷酸，攪拌1～3h后，再滴加陽離子表面活性劑，最后滴加醋酸鹽緩沖溶液并在20～30℃條件下攪拌3～5h，制得所述第二氧化組分；

(3)將第一氧化組分按照一定比例與第二氧化組分混合，制得所述一種雙氧化組分鋁蝕刻液。

7.根據權利要求6所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述醋酸鹽緩沖溶液的pH為3.0～4.0，

優選地，所述醋酸鹽緩沖溶液配置方法為將醋酸銨溶于去離子水中，之后加入鹽酸溶液，之后用氨水調節pH，制得；

優選地，所述氨水的濃度為0.1～1.0mol/L。

8.根據權利要求6所述的一種雙氧化組分鋁蝕刻液的制備方法，其特征在于，所述硝酸純度為95％～99％；

優選地，所述雙氧水的質量分數為5wt％～20wt％；

優選地，所述磷酸的質量分數為95％～98％；

優選地，所述陽離子表面活性劑選自伯胺鹽表面活性劑、仲胺鹽和叔胺鹽表面活性劑中的至少一種。

9.如權利要求1-5中任一項制備的雙氧化組分鋁蝕刻液或權利要求6-8中任一項制得的雙氧化組分鋁蝕刻液于鋁基裝置中的應用。

10.如權利要求9所述的用途，其特征在于，所述雙氧化組分鋁蝕刻液于鋁基半導體原件中的應用。